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Details
| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-18 V |
| Schaltfrequenz | 200-1000 kHz |
| Ausgang 1 | 1.8 V / 5 A |
| Ausgang 2 | 1.2 V / 5 A |
| IC-Revision | Datasheet |
Beschreibung
4.5V to 18V, 5A/5A Dual Synchronous Step-Down ConverterThe RT2825 features two synchronous wide input rangehigh efficiency buck converters that cab deliver up to 5A/5A output current from a 4.5V to 18V input supply. Theconverters are designed to simplify its application whilegiving the designer the option to optimize their usageaccording to the target application.DS2825-00 May 2017
Eigenschaften
Wide Input Supply Voltage Range : 4.5V to 18V Fully Integrated Dual-Buck, Up to 5A/5A Adjustable Switching Frequency 200kHz to 1MHzSet by External Resistor or SYNC Signal Dedicated Enable/Soft-Start for Each Buck Current Mode Control with Simple CompensationCircuit Adjustable Cycle-by-Cycle Current Limit Set byExternal Resistor Over-Temperature Protection Power Good Indicator Discontinuous Operating Mode at Light Load whenLOWP = L 1% VREF Accuracy RoHS Compliant and Halogen Free
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 32.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.2 µH | Performance Nennstrom32.6 A | Sättigungsstrom 112 A | Sättigungsstrom @ 30%25 A | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | MaterialSuperflux | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.3 µH, 32.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.3 µH | Performance Nennstrom32.1 A | Sättigungsstrom 111 A | Sättigungsstrom @ 30%25 A | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz59 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, 22.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.8 µH | Performance Nennstrom22.1 A | Sättigungsstrom 17 A | Sättigungsstrom @ 30%18 A | Gleichstromwiderstand3.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | MaterialSuperflux | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 26.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom26.5 A | Sättigungsstrom 19 A | Sättigungsstrom @ 30%22 A | Gleichstromwiderstand2.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.4 µH | Performance Nennstrom18.6 A | Sättigungsstrom 16.9 A | Sättigungsstrom @ 30%17 A | Gleichstromwiderstand4.75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz67 MHz | MaterialSuperflux | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, 22.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.8 µH | Performance Nennstrom22.5 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%17.5 A | Gleichstromwiderstand3.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom16.6 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand5.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz54 MHz | MaterialSuperflux | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, 18.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.7 µH | Performance Nennstrom18.3 A | Sättigungsstrom 17 A | Sättigungsstrom @ 30%16 A | Gleichstromwiderstand4.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MaterialWE-PERM | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.2 µH | Performance Nennstrom15.4 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand7.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MaterialSuperflux | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 14.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom14.9 A | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand7 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MaterialWE-PERM |