IC-Hersteller Renesas

IC-Hersteller (104)

Renesas ZL2105

3A Integrated Digital DC-DC Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung3-14 V
Schaltfrequenz200-2000 kHz
Ausgang 15 V / 20 A
IC-RevisionFN6851.2

Beschreibung

The ZL2105 is an innovative power conversion andmanagement IC that combines an integratedsynchronous step-down DC-DC converter with keypower management functions in a small package,resulting in a flexible and integrated solution.Zilker Labs Digital-DC™ technology enablesunparalleled power management integration whiledelivering industry-leading performance in a tinyfootprint

Eigenschaften

Power Conversion High efficiency 3 A continuous output current Integrated MOSFET switches 4.5 V to 14 V input range 0.54 V to 5.5 V output range (with margin) ±1% output voltage accuracy 200 kHz to 2 MHz switching frequency Supports phase spreading Small footprint (6 x 6 mm QFN package)Power Management Digital soft start/stop Precision delay and ramp-up Power good/enable Voltage tracking, sequencing, and margining Output voltage/current monitoring Thermal monitor w/ shutdown Non-volatile memory I2C/SMBus™ communication bus PMBus compatible

Typische Anwendungen

  •  Point of load converters, Industrial supplie  12 V distributed power systems
  •  Telecom and storage equipment, Digital set-top box

Weiterführende Informationen

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.9 µH, 36 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.9 µH
Performance Nennstrom36 A
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%28 A
Gleichstromwiderstand1.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz72 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.4 µH, 29 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.4 µH
Performance Nennstrom29 A
Sättigungsstrom 110 A
Sättigungsstrom @ 30%26 A
Gleichstromwiderstand2.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.3 µH, 23.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.3 µH
Performance Nennstrom23.8 A
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand3.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.2 µH, 19.1 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.2 µH
Performance Nennstrom19.1 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand5.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz34 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.8 µH, 12.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.8 µH
Performance Nennstrom12.9 A
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand10.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6 µH, 11.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6 µH
Performance Nennstrom11.2 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%11.5 A
Gleichstromwiderstand13.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.2 µH, 12.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom12.5 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
Gleichstromwiderstand11.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 11.1 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom11.1 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%10 A
Gleichstromwiderstand14.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
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