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IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (105)

ReferenzdesignNCP3020

Onsemi NCP3020

Synchronous PWM Controller

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung9-18 V
Schaltfrequenz300-600 kHz
Ausgang 13.3 V / 10 A
IC-Revision6

Beschreibung

The NCP3020 is a PWM device designed to operate from a wideinput range and is capable of producing an output voltage as low as0.6 V. The NCP3020 provides integrated gate drivers and an internallyset 300 kHz (NCP3020A) or 600 kHz (NCP3020B) oscillator. TheNCP3020 also has an externally compensated transconductance erroramplifier with an internally fixed soft−start. Protection featuresinclude lossless current limit and short circuit protection, outputovervoltage protection, output undervoltage protection, and inputundervoltage lockout. The NCP3020 is currently available in aSOIC−8 package.

Eigenschaften

  • Input Voltage Range from 4.7 V to 28 V
  • 300 kHz Operation (NCP3020B – 600 kHz)
  • 0.6 V Internal Reference Voltage
  • Internally Programmed 6.8 ms Soft−Start (NCP3020B – 4.4 ms)
  • Current Limit and Short Circuit Protection
  • Transconductance Amplifier with External Compensation
  • Input Undervoltage Lockout
  • Output Overvoltage and Undervoltage Detection
  • NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Siteand Change Controls
  • This is a Pb−Free Device

Typische Anwendungen

  • DC/DC conversion
  • LCD-TV

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
Material
LR(µH)
fres(MHz)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443310330
SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 15.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom15.5 A
Sättigungsstrom 119.2 A
Sättigungsstrom @ 30%38.9 A
Gleichstromwiderstand7.7 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität3.2 µH
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
–Verfügbarkeit prüfen