IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (103)

Onsemi NCP1615 | Demoboard EVBUM2516/D

150 W High Power Density Adapter Using SJ Si MOSFETs Evolution Board User Manual

Details

TopologieLeistungsfaktor-Korrektur
Eingangsspannung90-265 V
Schaltfrequenz420-450 kHz
Ausgang 119 V / 9 A
IC-Revision6

Beschreibung

This evaluation board user manual describes the 150 W High Power Density Adapter and its main parameters like efficiency, no−load input power consumption, EMI signature, transient responses, etc. The evaluation board is dedicated to present ON Semiconductor’s high performance controllers. High Power Density design is enabled when using these controllers and higher switching frequency. Higher efficiency can be achieved by using GaN HEMT devices instead of Silicon Super−junction MOSFETs. The evaluation board comprising of the PFC boost converter operated in the critical conduction mode (CrCM) and LLC power stage. The PFC front stage is driven by NCP1615, assures unity power factor and low input current THD. The LLC stage operates @ 260 to 300 kHz @ nominal load and it’s managed by the NCP1399 high performance current mode LLC controller. Super−junction Si MOSFETs (like FCMT199N60) can be assembled as primary side power switches. The CV/CC controller NCP4353A ensures output voltage regulation. Above mentioned controllers are placed on the Control Module. Secondary side utilizes synchronous rectifier (SR) from NCP4305 or NCP4306 family composed with NVMFS5C645NL 4m 60V Power MOSFET. Whole SR stage is implemented on the daughter card for easier main power board PCB design. The discrete or integrated LLC resonant thanks implementations can be used in one board with few changes thanks to universal design.

Eigenschaften

  • Wide Input Voltage Range
  • High Power Density, High Efficiency
  • Low No−load Power Consumption
  • X2 Capacitor Discharge Function
  • Near Unity Power Factor
  • Overload Protection, Thermal Protection
  • Low Mains Operation Protection
  • Secondary Short Circuit Protected
  • Regulated Output Under any Conditions
  • Capability to Implement Off−mode for

Typische Anwendungen

  • Ac – dc converters for consumer electronics
  • Adaptors,
  • Notebook

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Sicherheitsklasse
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
Verpackung
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Ø D(mm)
Ø Kabel max.(mm)
Ø OD(mm)
Ø ID(mm)
Z @ 25 MHz
1 Windung
(Ω)
Z @ 100 MHz
1 Windung
(Ω)
IR(A)
L(mH)
RDC max.(mΩ)
VR(V (AC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
VRMS(V)
VDC(V)
VBR(V)
IPeak(A)
Wmax(J)
PDiss(W)
VDE-Zulassung
Muster
WE-VD Disk Varistor, 230 VAC, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Durchmesser12.5 mm
Länge12.5 mm
Breite4.4 mm
Höhe16 mm
MontageartTHT 
Wechselstrom Betriebsspannung275 V
DC Betriebsspannung350 V
(Rückwärts-) Durchbruchspannung430 V
(Reverse) Peak Pulse Current2500 A
Energieabsorption66 J
Verlustleistung0.4 W
VDE-ZulassungJa 
WCAP-FTXX Folienkondensatoren, Across the mains, 330 nF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität330 nF
SicherheitsklasseX2 
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit260 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand30 GΩ
Raster12.5 mm
VerpackungLose 
Nennspannung310 V (AC)
Länge15 mm
Breite8.5 mm
Höhe14 mm
MontageartBoxed THT 
WE-SAFB, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-SAFB
Kabeldurchmesser Max.1.1 mm
Außendurchmesser3.5 mm
Innendurchmesser1.3 mm
Impedanz @ 25 MHz 1 Windung31 Ω
Impedanz @ 100 MHz 1 Windung54 Ω
Material7 W 700 
Länge5 mm
Höhe3.5 mm
WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom2 A
Induktivität10 mH
Gleichstromwiderstand125 mΩ
Nennspannung250 V (AC)
Prüfspannung1500 V (AC)
MaterialMnZn 
Länge23 mm
Breite13.8 mm
Höhe26.5 mm
MontageartTHT 
VDE-Zulassung40042670 
WE-FI Funkentstördrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom4.6 A
Induktivität0.09 mH
Gleichstromwiderstand40 mΩ
Länge18.5 mm
Breite10.5 mm
MontageartTHT 
WCAP-ATG5 Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, 680 µF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität680 µF
Raster5 mm
VerpackungAmmopack 
Endurance 2000
Rippelstrom520 mA
Leckstrom170 µA
Verlustfaktor14 %
Durchmesser10 mm
Nennspannung25 V (AC)
Länge16 mm
WCAP-PTG5 Aluminium-Polymer-Kondensatoren, –, 330 µF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität330 µF
Raster5 mm
VerpackungAmmopack 
Endurance 2000
Rippelstrom4900 mA
Leckstrom1650 µA
Verlustfaktor8 %
Durchmesser10 mm
Nennspannung25 V (AC)
Länge12.5 mm
MontageartRadial THT