| Topologie | Sperrwandler |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | VPE | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 13.8 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom13.8 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand5.85 mΩ | Eigenresonanzfrequenz68 MHz | MaterialSuperflux | Verpackungseinheit1000 | –Verfügbarkeit prüfen |
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
|---|---|---|
| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |