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IC-Hersteller Onsemi

IC-Hersteller (105)

ReferenzdesignNCP1294

Onsemi NCP1294

Flyback, Boost, Forward PWM Controller

Details

TopologieSonstige Topologie
Schaltfrequenz1000 kHz

Beschreibung

The NCP1294 fixed frequency feed forward voltage mode PWM controller contains all of the features necessary to be configured in a Flyback, Boost or Forward topology. This PWM controller has been optimized for high frequency primary side control operation. In addition, this device includes such features as: Soft−Start, accurate duty cycle limit control, less than 50A startup current, over and undervoltage protection, and bidirectional synchronization. The NCP1294 is available in a 16 lead SOIC narrow surface mount package

Eigenschaften

  • 1.0 MHz Frequency Capability
  • Fixed Frequency Voltage Mode Operation, with Feed Forward
  • Thermal Shutdown
  • Undervoltage Lock−Out
  • Accurate Programmable Max Duty Cycle Limit
  • 1.0 A Sink/Source Gate Drive
  • Programmable Pulse−By−Pulse Overcurrent Protection
  • Leading Edge Current Sense Blanking
  • 75 ns Shutdown Propagation Delay
  • Programmable Soft−Start
  • Undervoltage Protection
  • Overvoltage Protection with Programmable Hysteresis
  • Bidirectional Synchronization
  • 25 ns GATE Rise and Fall Time (1.0 nF Load)
  • 3.3 V 3% Reference Voltage Output
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443556450
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.5 µH, 23.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.5 µH
Performance Nennstrom23.5 A
Sättigungsstrom 116 A
Sättigungsstrom @ 30%37 A
Gleichstromwiderstand3.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MaterialWE-PERM 2 
Verpackungseinheit150 
–Verfügbarkeit prüfen