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Details
| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 00 |
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | f | Stabilität(ppm) | Betriebstemperatur | Ausgangssignal | VSupply | C | Tol. C | VR(V (DC)) | Bauform | DF(%) | RISO | Keramiktyp | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Fl(mm) | Verpackung | L(µH) | IR(A) | ISAT1(A) | ISAT2(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-SPXO Quarzoszillator, Processor, 33.3333 MHz | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-SPXO Quarzoszillator | Frequenz33.3333 MHz | Stabilität25 ppm | Betriebstemperatur -20 °C up to +70 °C | AusgangssignalCMOS | Betriebsspannung1.8 V | – | – | – | BauformIQXO-794 | – | – | – | Länge2.5 mm | Breite2 mm | Höhe1 mm | – | – | – | – | – | – | – | – | |||
| WCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC), –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 6.3 V(DC) | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C | – | – | Kapazität4.7 µF | Kapazität±20% | Nennspannung6.3 V (DC) | Bauform0402 | Verlustfaktor20 % | Isolationswiderstand0.01 GΩ | KeramiktypX5R Klasse II | Länge1 mm | Breite0.5 mm | Höhe0.5 mm | Pad Dimension0.25 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | |||||
| WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC) | – | – | Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C | – | – | Kapazität1 µF | Kapazität±20% | Nennspannung10 V (DC) | Bauform0402 | Verlustfaktor15 % | Isolationswiderstand0.05 GΩ | KeramiktypX5R Klasse II | Länge1 mm | Breite0.5 mm | Höhe0.5 mm | Pad Dimension0.25 mm | Verpackung7" Tape & Reel | – | – | – | – | – | – | |||||
 | WE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, –, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität | – | – | Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C | – | – | – | – | – | Bauform201210 | – | – | – | Länge2 mm | Breite1.25 mm | Höhe1 mm | Pad Dimension0.5 mm | – | Induktivität1 µH | Nennstrom3.3 A | Sättigungsstrom 11.55 A | Sättigungsstrom 23.45 A | Gleichstromwiderstand75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz120 MHz |