| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 00 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
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![]() | SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.55 A | Sättigungsstrom1.3 A | Gleichstromwiderstand91 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | –Verfügbarkeit prüfen |
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
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| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |