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IC-Hersteller Novosense Micro

IC-Hersteller (108)

ReferenzdesignNSi6602

Novosense Micro NSi6602

48V to 12V 240W Half-bridge EVM

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung36-60 V
Ausgang 112 V / 20 A
IC-Revision1.0

Beschreibung

This application guide introduces an isolated half-bridge synchronous rectifier power supply evaluation module with 48V input, 240W 12V output, 200KHz switching frequency and maximum efficiency up to 95% for communication systems.

Eigenschaften

  • Isolated dual-channel gate driver
  • 5kV RMS isolation withstand voltage
  • Input-side supply voltage: 2.7V to 5.5V
  • Drive-side supply voltage: up to 25V
  • 4A drive current and 6A absorption current
  • Up to 150KV/us common mode transient immunity
  • 19ns typical propagation delay
  • 5ns maximum transmission delay matching
  • 6ns maximum pulse width distortion
  • Programmable dead time
  • AEC-Q100 certification
  • Over-current and over-temperature protection mechanism
  • Operating temperature range: -40℃~125℃

Typische Anwendungen

  • Isolated DC-DC and AC-DC power supplies for servers, telecommunications and industry, DC-AC solar inverters, Motor drives and EV charging, UPS and battery chargers

Weiterführende Informationen

Von Novosense Micro freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
C
VR(V (DC))
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Raster(mm)
Ø D(mm)
L(mm)
Verpackung
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744316047
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 19.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom19.5 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz280 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–
–
–
–
–
–
–
–
Länge5.5 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
74435580330
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 33.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom33.2 A
Sättigungsstrom 127.5 A
Sättigungsstrom @ 30%45 A
Gleichstromwiderstand1.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26.5 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit120 
–
–
–
–
–
–
–
–
Länge22.5 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
860040875005
SPECWCAP-ATUL Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-ATUL Aluminium-Elektrolytkondensatoren
–
–
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit500 
Kapazität100 µF
Nennspannung100 V (DC)
Endurance 7000
Rippelstrom800 mA
Leckstrom100 µA
Verlustfaktor9 %
Raster5 mm
Durchmesser10 mm
Länge25 mm
VerpackungAmmopack 
–Verfügbarkeit prüfen