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IC-Hersteller Novosense Micro

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignNSi6602

Novosense Micro NSi6602

48V to 12V 240W Half-bridge EVM

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung36-60 V
Ausgang 112 V / 20 A
IC-Revision1.0

Beschreibung

This application guide introduces an isolated half-bridge synchronous rectifier power supply evaluation module with 48V input, 240W 12V output, 200KHz switching frequency and maximum efficiency up to 95% for communication systems.

Eigenschaften

  • Isolated dual-channel gate driver
  • 5kV RMS isolation withstand voltage
  • Input-side supply voltage: 2.7V to 5.5V
  • Drive-side supply voltage: up to 25V
  • 4A drive current and 6A absorption current
  • Up to 150KV/us common mode transient immunity
  • 19ns typical propagation delay
  • 5ns maximum transmission delay matching
  • 6ns maximum pulse width distortion
  • Programmable dead time
  • AEC-Q100 certification
  • Over-current and over-temperature protection mechanism
  • Operating temperature range: -40℃~125℃

Typische Anwendungen

  • Isolated DC-DC and AC-DC power supplies for servers, telecommunications and industry, DC-AC solar inverters, Motor drives and EV charging, UPS and battery chargers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
C
VR(V (DC))
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
ILeak(µA)
DF(%)
Raster(mm)
Ø D(mm)
L(mm)
Verpackung
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744316047
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 19.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom19.5 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Gleichstromwiderstand2.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz280 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–
–
–
–
–
–
–
–
Länge5.5 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
74435580330
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 33.2 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom33.2 A
Sättigungsstrom 127.5 A
Sättigungsstrom @ 30%45 A
Gleichstromwiderstand1.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26.5 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit120 
–
–
–
–
–
–
–
–
Länge22.5 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
860040875005
SPECWCAP-ATUL Aluminium-Elektrolytkondensatoren, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-ATUL Aluminium-Elektrolytkondensatoren
–
–
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit500 
Kapazität100 µF
Nennspannung100 V (DC)
Endurance 7000
Rippelstrom800 mA
Leckstrom100 µA
Verlustfaktor9 %
Raster5 mm
Durchmesser10 mm
Länge25 mm
VerpackungAmmopack 
–Verfügbarkeit prüfen