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IC-Hersteller Nexperia

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ReferenzdesignGAN039-650NTB | Demoboard NX-HB-GAN039-TSCUL

Nexperia GAN039-650NTB | Demoboard NX-HB-GAN039-TSCUL

GAN039-650NTB

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung400 V
IC-Revision1.3

Beschreibung

The Gallium Nitride FET GAN039-650NTB (33 mΩ RDS(on) typ.) used in this evaluation board is a normally-off device, comprised of a high-voltage depletion-mode GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) combined with a tailored 30 V Si-FET in a cascode configuration.It is assembled as a die-on-die stack for best performance and minimized internal parasitics, housed in a 12 mm x 12 mm top-side cooled copper-clip package CCPAK.

Eigenschaften

  • Very low switching losses
  • Rugged gate with high threshold voltage, Vth = 4 V, enables single supply gate drive voltage 0 V to 10 - 12 V.
  • Very good QGD/QGS << 1 ratio, protects against parasitic turn-on
  • Minimal reverse-recovery
  • Very low Rth in top-side cooling for SMD
  • Best in class third-quadrant off-state conduction performance for wide-bandgap devices
  • Very low package inductance (≈1.3 nH @ 100 MHz)

Typische Anwendungen

  • Solar Inverters, Energy Storage System, Servo Devices, Welding Inverters

Weiterführende Informationen

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ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC)
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ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig
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ProduktserieWR-WTB 2.54 mm Stiftleisten
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ProduktserieWCAP-CSGP MLCCs 100 V(DC)
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