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IC-Hersteller Monolithic Power Systems

IC-Hersteller (104)

ReferenzdesignNB685 | Demoboard EVNB685-Q-00A

Monolithic Power Systems NB685 | Demoboard EVNB685-Q-00A

26V, Low IQ, High Current Synchronous Buck Converter With+/-1A and Bufferd Refference

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung19 V
Schaltfrequenz500-700 kHz
Ausgang 11.35 V / 12 A
IC-Revision1.1

Beschreibung

The NB685 provides a complete power supplyfor DDR3, DDR3L, LPDDR3, and DDR4memory with the highest power density. Itintegrates a high frequency synchronousrectified step-down switch mode converter(VDDQ) with a 1A sink/source LDO (VTT) andbuffered low noise reference (VTTREF).Adaptive Constant-On-Time (COT) controlmode provides fast transient response andeases loop stabilization. The DC auto tune loopprovides good load and line regulation.The VTT LDO provides 1A sink/source currentcapability and requires only 10uF ceramiccapacitance. The VTTREF tracks VDDQ/2 withan excellent 1% accuracy.Full protection features include OC Limit, OVP,UVP and thermal shut down and Overtemperature warning (OTW).The converter requires minimum number ofexternal components and is available in QFN 3x3packages.

Eigenschaften

  • Wide 4.5V to 26V Operating Input Range
  • Compatible for IMVP8
  • 100uA low quiescent Current
  • 12A Continous Output Current
  • Selectable Ultrasonic Mode
  • Selectable 500k/700k Switching Frequency
  • Built-in +/- 1A VTTLDO
  • 1% Buffered VTTREF Output
  • Adaptive COT for Fast transient
  • DC Auto Tune Loop
  • Stable with POSCAP and Ceramic OutputCap
  • Over Temperature Warning
  • Internal Soft Start
  • Output Discharge
  • OCL, OVP, UVP, OTP
  • Latch off Reset via EN or Power Cycle

Typische Anwendungen

  • •Distributed Power Systems
  • •Laptop Computer
  • •Server
  • •Networking Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744311068
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 20.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
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CAD-Dateien ZIP

Elektrische Modelle ZIP

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ZIP

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom20.9 A
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz105 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen