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Details
| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 9-18 V |
| Ausgang 1 | 4 A |
| IC-Revision | 1.0 |
Beschreibung
The MPQ18021A is a high-frequency, 100V, halfbridge,N-channel power MOSFET driver. Its lowside and high-side driver channels areindependently controlled and matched with a time delay of less than 5ns. Under-voltage lockout on both high-side and low-side supplies force theiroutputs low in case of insufficient supply. The integrated bootstrap diode reduces external component count.
Eigenschaften
- Drives N-Channel MOSFET Half Bridge
- 115V VBST Voltage Range
- On-Chip Bootstrap Diode
- Typical 16ns Propagation Delay Time
- Less Than 5ns Gate Drive Matching
- Drives 1nf Load with 12ns/9ns Rise/FallTimes with 12V VDD
- TTL Compatible Input
- Less Than 150μA Quiescent Current
- UVLO for Both High-Side and Low-Side
- In SOIC8 Package
Typische Anwendungen
- Avionics DC-DC Converters
- Telecom Half-Bridge Power Supplies
- Two-Switch Forward Converters;Active Clamp Forward Converters
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | VPE | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 8.7 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität33 µH | Performance Nennstrom8.7 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand21.7 mΩ | Eigenresonanzfrequenz9.5 MHz | MaterialMnZn | Verpackungseinheit150 | –Verfügbarkeit prüfen | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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