IC-Referenzdesignsuche
IC-Hersteller Monolithic Power Systems

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignMP1924A | Demoboard EV1924A-R-00A

Monolithic Power Systems MP1924A | Demoboard EV1924A-R-00A

100V, 4A, Half-Bridge Gate Driver

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung0-100 V
IC-Revision1.0

Beschreibung

The EV1924A-R-00A is an evaluation board forthe MP1924A, a high-frequency, half-bridgegate driver. Its high-side and low-side driverchannels are independently controlled, and arematched with a time delay of less than 5ns.The board is configured as a buck converter.The INH and INL signals are independent ofeach other. Complementary PWMs with properdead time should be implemented for INH and INL.

Eigenschaften

  • 115V Bootstrap Voltage Range
  • On-Chip Bootstrap Diode
  • Quiescent Current Below 150μA
  • Typical Propagation Delay of 20ns
  • Gate Driver Matching of Less than 5ns
  • UVLO for Both High-Side and Low-SideGate Drivers
  • TTL-Compatible Input
  • Available in QFN-10 (4mmx4mm) andSOIC-8 Packages

Typische Anwendungen

  • Telecom Half-Bridge Power Supplies
  • Motor Drivers
  • Avionics DC/DC Converters

Weiterführende Informationen

Von Monolithic Power Systems freigegebene Bauteile

Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
74435573300
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 8.7 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom8.7 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Gleichstromwiderstand21.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9.5 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit150 
–Verfügbarkeit prüfen