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IC-Hersteller Monolithic Power Systems

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignMP1907

Monolithic Power Systems MP1907

100V, 2.5A, High Frequency Half-bridge Gate Driver

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung6-18 V
Ausgang 12.5 A
IC-Revision1.2

Beschreibung

The MP1907 is a high frequency, 100V half bridge N-channel power MOSFET driver. Its low side and high side driver channels areindependently controlled and matched with less than 5ns in time delay. Under-voltage lock-out both high side and low side supplies force theiroutputs low in case of insufficient supply. Both outputs will remain low until a rising edge on either input is detected. The integratedbootstrap diode reduces external componentcount.

Eigenschaften

  • Drives N-channel MOSFET half bridge
  • 100V VBST voltage range
  • Input signal overlap protection
  • On-chip bootstrap diode
  • Typical 20ns propagation delay time
  • Less than 5ns gate drive mismatch
  • Drive 1nF load with 12ns/9ns rise/fall timeswith 12V VDD
  • TTL compatible input
  • Less than 150μA quiescent current
  • Less than 5μA shutdown current
  • UVLO for both high side and low side
  • In 3×3mm QFN10 Packages

Typische Anwendungen

  • Battery Powered Hand Tool
  • Avionics DC-DC converters
  • Active-clamp Forward Converters
  • Telecom half bridge power supplies

Weiterführende Informationen

Von Monolithic Power Systems freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74435573300
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 8.7 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom8.7 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Gleichstromwiderstand21.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9.5 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit150 
–Verfügbarkeit prüfen