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IC-Hersteller Monolithic Power Systems

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignMP18021A

Monolithic Power Systems MP18021A

100V, 2.5A, High Frequency Half-Bridge Gate Driver

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung9-18 V
Ausgang 14 A
IC-Revision1.53

Beschreibung

The MP18021A is a high-frequency, 100V, half bridge, N-channel power MOSFET driver. Its low side and high side driver channels are independently controlled and matched with a time delay of less than 5ns. Under-voltage lockout on both high side and low side supplies force theiroutputs low in case of insufficient supply. The integrated bootstrap diode reduces external component count.

Eigenschaften

 Drives N-Channel MOSFET Half Bridge

  • 100V VBST Voltage Range
  • On-Chip Bootstrap Diode
  • Typical 16ns Propagation Delay Time
  • Less Than 5ns Gate Drive Matching
  • Drives 1nf Load with 12ns/9ns Rise/FallTimes with 12V VDD
  • TTL Compatible Input
  • Less Than 150A Quiescent Current
  • UVLO for Both High Side and Low Side
  • In SOIC8E and QFN8 (3×3mm) Packages

Typische Anwendungen

  • Two-Switch Forward Converters;Active Clamp Forward Converters
  • Telecom Half Bridge Power Supplies
  • Avionics DC-DC Converters

Weiterführende Informationen

Von Monolithic Power Systems freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74435573300
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 33 µH, 8.7 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität33 µH
Performance Nennstrom8.7 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Gleichstromwiderstand21.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz9.5 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit150 
–Verfügbarkeit prüfen