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IC-Revision	1

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	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	L(µH)	I_RP,40K(A)	I_SAT,10%(A)	I_SAT,30%(A)	R_DC(mΩ)	f_res(MHz)	Material	VPE	MusterVerfügbarkeit & Muster

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	7443551200	SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 26.5 A Anstehende PCN Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. SPEC Datenblatt PCN PCN Dokument	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien ALT WE-HCI (rev25a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev25a).lbr \| 140.6 KB KIC KiCad_WE-HCI (rev26b).zip \| 1.1 MB ZUK Download_CadStar_WE-HCI (rev19a).zip \| 15.7 KB IGS WE-HCI_1365_7443551 (rev1).igs \| 1.7 MB STP WE-HCI_1365_7443551 (rev1).stp \| 514.9 KB PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	Induktivität2 µH	Performance Nennstrom26.5 A	Sättigungsstrom 19 A	Sättigungsstrom @ 30%22 A	Gleichstromwiderstand2.6 mΩ	Eigenresonanzfrequenz45 MHz	MaterialWE-PERM	Verpackungseinheit400	–Verfügbarkeit prüfen

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