| Topologie | Abwärtswandler |
| IC-Revision | 1 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 26.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom26.5 A | Sättigungsstrom 19 A | Sättigungsstrom @ 30%22 A | Gleichstromwiderstand2.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MaterialWE-PERM |