| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 6.5-20 V |
| Schaltfrequenz | 300-1500 kHz |
| Ausgang 1 | 5.1 V / 8 A |
| IC-Revision | 1.2.2 |
The XRP7708 and XRP7740 are quad-output pulse-width modulated(PWM) step-down DC DC controller swith a built-inLDO for stand by power and GPIOs. The devices provide a complete power management solution in one IC and are fully programmable via an I2C serial interface. Independent Digital Pulse Width Modulator(DPWM) channels regulate output voltages and provide all required protection functionssuch ascurrentlimiting and over voltage protection.Each output voltage can be programmed from0.9Vto5.1V without the need of an external voltage divider. The wide range of the programmable DPWM switching frequency (from 300 KHzto1.5 MHz) enables the user to optimize between efficiency and component size. Input voltage range is from 6.5V to 20V.An I2C bus interface is provided to program the IC as well as to communicate withthe host for fault reporting and handling,powerrailparameters monitoring,etc.The device off ersacomplete solution for soft start and soft-stop. The start-up delay and ramp of each PWM regulator can be independently controlled. The device can start up a pre-biased PWM channel without causinglarge negative inductor current
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | VPE | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.1 µH, 19.6 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.1 µH | Performance Nennstrom19.6 A | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand3.15 mΩ | Eigenresonanzfrequenz135 MHz | MaterialSuperflux | Verpackungseinheit1000 | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.3 µH, 32.1 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.3 µH | Performance Nennstrom32.1 A | Sättigungsstrom 111 A | Sättigungsstrom @ 30%25 A | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz59 MHz | MaterialWE-PERM | Verpackungseinheit400 | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 8.7 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom8.7 A | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand14.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz58 MHz | MaterialSuperflux | Verpackungseinheit1500 | –Verfügbarkeit prüfen | |||
![]() | SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, 8.3 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.9 µH | Performance Nennstrom8.3 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand14.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | MaterialSuperflux | Verpackungseinheit1000 | –Verfügbarkeit prüfen |
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
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| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |