| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 6.5-20 V |
| Schaltfrequenz | 300-1500 kHz |
| Ausgang 1 | 5.1 V / 5 A |
| IC-Revision | 1.1.0 |
The XRP7704 is a quad-output pulse-width modulated (PWM) step-down DC-DC controller with a built-in LDO for standby power and GPIOs. The device provides a complete power management solution in one IC and is fully programmable via the included I2C serial interface. Independent Digital Pulse Width Modulator (DPWM) channels regulate output voltages and provide all required protection functions such as current limiting and over-voltage protection.Each output voltage can be programmed from 0.9V to 5.1V without the need of an external voltage divider. The wide range of the programmable DPWM switching frequency (from 300 KHz to 1.5 MHz) enables the user to optimize between efficiency and component size. Input voltage range is from 6.5V to 20V.I2C bus interface is provided to program the IC as well as to communicate with the host for fault reporting and handling, power rail parameters monitoring, etc.The device offers a complete solution for soft-start and soft-stop. The start-up delay and ramp of each PWM regulator can be independently controlled. The device can start up a pre-biased PWM channel without causing large negative inductor current.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 8.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom8.7 A | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand14.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz58 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 13.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom13.8 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand5.85 mΩ | Eigenresonanzfrequenz68 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 8.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom8.1 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%11 A | Gleichstromwiderstand17.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, 8.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.9 µH | Performance Nennstrom8.3 A | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand14.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | MaterialSuperflux |