IC-Hersteller Intel

IC-Hersteller (106)

Intel ETHERNET BLASTER II | Demoboard ETHERNET BLASTER II

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision30.3.2010

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
VPE
RDC max.(mΩ)
MusterVerfügbarkeit & Muster
Jetzt einloggen, um Verfügbarkeiten zu sehen und Verfügbarkeitsprognosen anzufragen. LOGIN
SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.6 µH, 3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.6 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom2.7 A
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
MontageartSMT 
Verpackungseinheit400 
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.82 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.82 A
Sättigungsstrom2.46 A
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom 12.9 A
Sättigungsstrom @ 30%3.3 A
Verpackungseinheit1500 
Gleichstromwiderstand110 mΩ
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom7.8 A
Sättigungsstrom 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7 A
Gleichstromwiderstand19.5 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
Gleichstromwiderstand21.45 mΩ
Verfügbarkeit prüfen