Intel ETHERNET BLASTER II | Demoboard ETHERNET BLASTER II | IC-Referenzdesignsuche von Würth Elektronik

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ReferenzdesignETHERNET BLASTER II | Demoboard ETHERNET BLASTER II

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Topologie	Sonstige Topologie
IC-Revision	30.3.2010

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	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	L(µH)	I_R(A)	I_SAT(A)	f_res(MHz)	Montageart	I_RP,40K(A)	I_SAT,10%(A)	I_SAT,30%(A)	R_DC(mΩ)	Material	VPE	R_{DC max.}(mΩ)	MusterVerfügbarkeit & Muster

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	744053002	SPECWE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.6 µH, 3 A	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-TPC (rev23a).IntLib \| 1.5 MB CDS Cadence_WE-TPC (rev23a).zip \| 10.8 MB EAG Eagle_WE-TPC (rev23b).lbr \| 219.3 KB KIC KiCad_WE-TPC (rev26b).zip \| 1.1 MB ZUK Download_CadStar_WE-TPC (rev19a).zip \| 47.5 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-TPC_5828 (rev1).igs \| 1.5 MB STP WE-TPC_5828 (rev1).stp \| 591.4 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-TPC (rev23a).zip \| 39.9 KB SCS Spectre_WE-TPC (rev24a).mod \| 52.7 KB Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel	Induktivität2.6 µH	Nennstrom3 A	Sättigungsstrom2.7 A	Eigenresonanzfrequenz55 MHz	MontageartSMT	–	–	–	–	–	Verpackungseinheit400	Gleichstromwiderstand30 mΩ	–Verfügbarkeit prüfen
	744773047	SPECWE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.82 A	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-PD2 (rev25b).IntLib \| 439 KB CDS Cadence_WE-PD2 (rev23a).zip \| 3.2 MB EAG Eagle_WE-PD2 (rev25a).lbr \| 98.8 KB KIC KiCad_WE-PD2 (rev26b).zip \| 371.6 KB ZUK CadStar_WE-PD2 (rev19b).zip \| 15.1 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-PD2_4532 (rev1).igs \| 1.2 MB STP WE-PD2_4532 (rev1).stp \| 439.1 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-PD2 (rev25a).zip \| 19.1 KB SCS Spectre_WE-PD2 (rev24a).mod \| 22.1 KB Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel	Induktivität4.7 µH	Nennstrom1.82 A	Sättigungsstrom2.46 A	Eigenresonanzfrequenz50 MHz	MontageartSMT	Performance Nennstrom2.6 A	Sättigungsstrom 12.9 A	Sättigungsstrom @ 30%3.3 A	–	–	Verpackungseinheit1500	Gleichstromwiderstand110 mΩ	–Verfügbarkeit prüfen
	744311470	SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, –	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-HCI (rev25a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev25a).lbr \| 140.6 KB KIC KiCad_WE-HCI (rev26b).zip \| 1.1 MB ZUK Download_CadStar_WE-HCI (rev19a).zip \| 15.7 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-HCI_7040_744311 (rev1).igs \| 1.8 MB STP WE-HCI_7040_744311 (rev1).stp \| 597.7 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	Induktivität4.7 µH	–	–	Eigenresonanzfrequenz33 MHz	MontageartSMT	Performance Nennstrom7.8 A	Sättigungsstrom 12.5 A	Sättigungsstrom @ 30%7 A	Gleichstromwiderstand19.5 mΩ	MaterialSuperflux	Verpackungseinheit1000	Gleichstromwiderstand21.45 mΩ	–Verfügbarkeit prüfen