| Topologie | Abwärtswandler |
| IC-Revision | 1.0 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Nennstrom3 A | Sättigungsstrom4 A | Gleichstromwiderstand18 mΩ | Eigenresonanzfrequenz304 MHz |