IC-Hersteller Cambridge GaN Devices

IC-Hersteller (103)

Cambridge GaN Devices CGD65B240SH2 | Demoboard CGD-ASYEVB00201-03

Quasi-Resonant Flyback 65 W

Details

TopologieSperrwandler
Eingangsspannung90-264 V
Schaltfrequenz25-261 kHz
Ausgang 120 V / 3.25 A
IC-Revision1.0

Beschreibung

This QR Flyback Evaluation Board uses an ICeGaN™ 650 V device with either 200 mΩ or 240 mΩ RDS(ON) as the primary switching transistor and uses ICeGaN´s integrated current sense feature in the current control loop.This topology highlights the No Load Power Consumption of ICeGaN, so crutial for products in this power range combined with state of the art switching performance togather with the thermal benefits ICeGaN current sense reducing power dissipation and reducing device temperature.

Eigenschaften

  • Using ICeGaN 650 V, 200 mΩ or 240 mΩ in DFN 5x6 Vin 100-260 VAC
  • VIN 100-260 VAC
  • VOUT 20 VDC
  • Maximum Efficiency 93.8%
  • Typical frequency range 25 ~ 240kHz
  • No shunt current sense resistors – uses ICeGaN current sense feature

Typische Anwendungen

  • SMPS applications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
n
Betriebstemperatur
IR(A)
L(µH)
RDC max.(mΩ)
VR(V (AC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
Muster
WE-CMB NiZn Stromkompensierte Netzdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Nennstrom10 A
Induktivität16 µH
Gleichstromwiderstand3 mΩ
Nennspannung250 V (AC)
Prüfspannung1500 V (AC)
MaterialNiZn 
Länge18.5 mm
Breite14.5 mm
Höhe22 mm
MontageartTHT 
WE-STST Super Tiny Signal Transformer, Langstreckenerkennung bei niedriger Frequenz, 1:4.5:4.5:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:4.5:4.5:1 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Induktivität2000 µH
Prüfspannung400 V (AC)
Länge4.7 mm
Breite3.22 mm
Höhe2.9 mm