Topologie | Gegentaktwandler (Halbbrücken) |
Eingangsspannung | 0-18 V |
Ausgang 1 | 650 V |
IC-Revision | 1 |
The Half Bridge Evaluation Board allows ICeGaN variants to be used with a readily available silicon MOSFET driver, demonstrating state of the art performance combined with easy implementation of ICeGaN into an existing design.This evaluation board is available in a number of variants with matched high side & low side devices, with either 55mΩ, 130mΩ 5x6, 130mΩ 8x8, 200mΩ 5x6 or 240mΩ 5x6 650 V GaN HEMTs and variable gate drive voltage from 9 V to 20 V.All board functionality is identical for all variants.
Artikel Nr. | Datenblatt | Downloads | Status | Produktserie | Pins (pcs) | Reihen | Gender | Typ | IR (A) | Verpackung | Muster | |
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![]() | 61000421121 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | 7 Dateien | Aktiv i| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | WR-PHD 2.54 mm SMT Dual Pin Header | 4 | Dual | Stiftleiste | Gerade | 3 | Stange |
Artikel Nr. | Datenblatt | |
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![]() | 61000421121 | SPEC Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. |
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