IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC7813

Low IQ, 60V Synchronous Boost+Buck Controller

Details

TopologieAbwärts- und Aufwärtswandler
Eingangsspannung8-35 V
Ausgang 15 V / 8 A
Ausgang 224 V / 5 A
Ausgang 312 V / 8 A

Beschreibung

The LTC®7813 is a high performance synchronousBoost+Buck DC/DC switching regulator controller thatdrives all N-channel power MOSFET stages. It containsindependent step-up (boost) and step-down (buck)controllers that can regulate two separate outputs or becascaded to regulate an output voltage from an inputvoltage that can be above, below, or equal to the outputvoltage. The LTC7813 operates from a wide 4.5V to 60Vinput supply range. When biased from the output of theboost regulator, the LTC7813 can operate from an inputsupply as low as 2.2V after start-up. The 34μA no-loadquiescent current (both channels on) extends operatingruntime in battery-powered systems

Eigenschaften

Synchronous Boost and Buck Controllersnn When Cascaded, Allows VIN Above, Below, or Equalto Regulated VOUT of Up to 60Vnn Wide Bias Input Voltage Range: 4.5V to 60Vnn Output Remains in Regulation Through Input Dips(e.g. Cold Crank) Down to 2.2Vnn Adjustable Gate Drive Level 5V to 10V (OPTI-DRIVE)nn Low EMI with Low Input and Output Ripplenn Fast Output Transient Responsenn No External Bootstrap Diodes Requirednn High Light Load Efficiencynn Low Operating IQ: 29μA (One Channel On)nn Low Operating IQ: 34μA (Both Channels On)nn RSENSE or Lossless DCR Current Sensingnn Buck Output Voltage Range: 0.8V ≤ VOUT ≤ 60Vnn Boost Output Voltage Up 60Vnn Phase-Lockable Frequency (75kHz to 850kHz)nn Small 32-Pin 5mm × 5mm QFN Package

Typische Anwendungen

  • Automotive and Industrial Power Systems
  • High Power Battery Operated Systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
RDC max.(mΩ)
LR(µH)
Muster
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 34 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 130.6 A
Sättigungsstrom @ 30%33.5 A
Eigenresonanzfrequenz96 MHz
MaterialFerrite 
Gleichstromwiderstand2.5 mΩ
Nenninduktivität0.9 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 32.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Performance Nennstrom32.6 A
Sättigungsstrom 112 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
Gleichstromwiderstand1.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand1.98 mΩ
Nenninduktivität1 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.4 µH
Performance Nennstrom18.6 A
Sättigungsstrom 16.9 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand5.225 mΩ
Nenninduktivität1.8 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom16.6 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand6.49 mΩ
Nenninduktivität2.4 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, 18.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.7 µH
Performance Nennstrom18.3 A
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%16 A
Gleichstromwiderstand4.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MaterialWE-PERM 
Gleichstromwiderstand5.39 mΩ
Nenninduktivität2.6 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 14.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom14.9 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MaterialWE-PERM 
Gleichstromwiderstand7.59 mΩ
Nenninduktivität3.4 µH
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 14.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom14.9 A
Sättigungsstrom 115.6 A
Sättigungsstrom @ 30%17.1 A
Eigenresonanzfrequenz43 MHz
MaterialFerrite 
Gleichstromwiderstand7.9 mΩ
Nenninduktivität3.2 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.3 µH, 16.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.3 µH
Performance Nennstrom16.5 A
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12 A
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MaterialWE-PERM 
Gleichstromwiderstand6.49 mΩ
Nenninduktivität5 µH