| Topologie | Abwärts- und Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 8-35 V |
| Ausgang 1 | 5 V / 8 A |
| Ausgang 2 | 24 V / 5 A |
| Ausgang 3 | 12 V / 8 A |
The LTC®7813 is a high performance synchronousBoost+Buck DC/DC switching regulator controller thatdrives all N-channel power MOSFET stages. It containsindependent step-up (boost) and step-down (buck)controllers that can regulate two separate outputs or becascaded to regulate an output voltage from an inputvoltage that can be above, below, or equal to the outputvoltage. The LTC7813 operates from a wide 4.5V to 60Vinput supply range. When biased from the output of theboost regulator, the LTC7813 can operate from an inputsupply as low as 2.2V after start-up. The 34μA no-loadquiescent current (both channels on) extends operatingruntime in battery-powered systems
Synchronous Boost and Buck Controllersnn When Cascaded, Allows VIN Above, Below, or Equalto Regulated VOUT of Up to 60Vnn Wide Bias Input Voltage Range: 4.5V to 60Vnn Output Remains in Regulation Through Input Dips(e.g. Cold Crank) Down to 2.2Vnn Adjustable Gate Drive Level 5V to 10V (OPTI-DRIVE)nn Low EMI with Low Input and Output Ripplenn Fast Output Transient Responsenn No External Bootstrap Diodes Requirednn High Light Load Efficiencynn Low Operating IQ: 29μA (One Channel On)nn Low Operating IQ: 34μA (Both Channels On)nn RSENSE or Lossless DCR Current Sensingnn Buck Output Voltage Range: 0.8V ≤ VOUT ≤ 60Vnn Boost Output Voltage Up 60Vnn Phase-Lockable Frequency (75kHz to 850kHz)nn Small 32-Pin 5mm × 5mm QFN Package
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC max.(mΩ) | LR(µH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 34 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom34 A | Sättigungsstrom 130.6 A | Sättigungsstrom @ 30%33.5 A | – | Eigenresonanzfrequenz96 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand2.5 mΩ | Nenninduktivität0.9 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 32.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.2 µH | Performance Nennstrom32.6 A | Sättigungsstrom 112 A | Sättigungsstrom @ 30%25 A | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand1.98 mΩ | Nenninduktivität1 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.4 µH | Performance Nennstrom18.6 A | Sättigungsstrom 16.9 A | Sättigungsstrom @ 30%17 A | Gleichstromwiderstand4.75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz67 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand5.225 mΩ | Nenninduktivität1.8 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom16.6 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand5.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz54 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand6.49 mΩ | Nenninduktivität2.4 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.7 µH, 18.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.7 µH | Performance Nennstrom18.3 A | Sättigungsstrom 17 A | Sättigungsstrom @ 30%16 A | Gleichstromwiderstand4.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MaterialWE-PERM | Gleichstromwiderstand5.39 mΩ | Nenninduktivität2.6 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 14.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom14.9 A | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand7 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MaterialWE-PERM | Gleichstromwiderstand7.59 mΩ | Nenninduktivität3.4 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 14.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom14.9 A | Sättigungsstrom 115.6 A | Sättigungsstrom @ 30%17.1 A | – | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand7.9 mΩ | Nenninduktivität3.2 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.3 µH, 16.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7.3 µH | Performance Nennstrom16.5 A | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12 A | Gleichstromwiderstand5.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MaterialWE-PERM | Gleichstromwiderstand6.49 mΩ | Nenninduktivität5 µH |