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IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignLTC7806

Analog Devices LTC7806

40V, Low IQ, 3MHz, 2-Phase Synchronous Boost Controller

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung1.2-30 V
Schaltfrequenz100-3000 kHz
Ausgang 110 V / 12 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LTC®7806 is a high performance 2-phase single output synchronous boost converter controller that drives two N-channel power MOSFET stages out-of-phase. Its constant-frequency current mode architecture allows a phase-lockable switching frequency of up to 3MHz. High frequency 2-phase operation reduces input and output capacitor requirements and allows the use of smaller inductors compared to the single-phase equivalent. Synchronous rectification increases efficiency, reduces power losses, and eases thermal requirements, simplifying high power boost applications. The synchronous PassThru capability also minimizes losses in automotive start-stop applications.

Eigenschaften

  • 2-Phase Operation Reduces Required Input andOutput Capacitance and Power Supply Induced Noise
  • Synchronous Operation for Highest Efficiencyand Reduced Heat Dissipation
  • Wide Input Voltage Range: 4.5V to 40V,Operates Down to 1V After Start-Up
  • Output Voltage Up to 40V
  • Low Operating Quiescent Current: 18μA
  • PassThru™ Operation: 100% Duty Cycle Capabilityfor Synchronous MOSFET
  • RSENSE or Inductor DCR Current Sensing
  • Spread Spectrum Operation
  • Programmable Fixed Frequency (100kHz to 3MHz)
  • Phase-Lockable Frequency (100kHz to 3MHz)
  • Selectable Continuous, Pulse-Skipping, or LowRipple Burst Mode® Operation at Light Loads
  • Input Current Monitor Output
  • Internal LDO Powers Gate Drive from VBIAS or EXTVCC
  • Low Shutdown IQ: 1.5μA
  • Side Wettable 28-Lead 4mm × 5mm QFN Package
  • AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications

Typische Anwendungen

  • Communications
  • Automotive and Transportation
  • Industrial
  • Medical

Weiterführende Informationen

Von Analog Devices freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744355047
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 50.1 A

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom50.1 A
Sättigungsstrom 124 A
Sättigungsstrom @ 30%50 A
Gleichstromwiderstand0.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz95 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
–Verfügbarkeit prüfen