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IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (107)

ReferenzdesignLTC3872

Analog Devices LTC3872

No RSENSE Current Mode Boost DC/DC Controller

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung5 V
Schaltfrequenz500-650 kHz
Ausgang 124 V / 1 A
IC-RevisionC

Beschreibung

The LTC®3872 is a constant frequency current mode boost DC/DC controller that drives an N-channel power MOSFET and requires very few external components. The No RSENSE TM architecture eliminates the need for a senseresistor, improves efficiency and saves board space.

The LTC3872 provides excellent AC and DC load and line regulation with ±1.5% output voltage accuracy. It incorporates an undervoltage lockout feature that shuts down the device when the input voltage falls below 2.3V.

High switching frequency of 550kHz allows the use of small inductor. The LTC3872 is available in an 8-lead low profile (1mm) ThinSOTTM package and 8-pin 2mm × 3mm DFN package.

Eigenschaften

  • No Current Sense Resistor Required
  • VOUT up to 60V
  • Constant Frequency 550kHz Operation
  • Internal Soft-Start and Optional External Soft-Start
  • Adjustable Current Limit
  • Pulse Skipping at Light Load
  • VIN Range: 2.75V to 9.8V
  • ±1.5% Voltage Reference Accuracy
  • Current Mode Operation for Excellent Line and Load Transient Response
  • Low Profile (1mm) SOT-23 and 2mm × 3mm DFN Packages

Typische Anwendungen

  • IP Phone Power Supplies
  • Telecom Power Supplies
  • 42V Automotive Systems
  • 24V Industrial Controls

Weiterführende Informationen

Von Analog Devices freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443550820
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.2 µH, 12.5 A

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom12.5 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%11 A
Gleichstromwiderstand11.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
–Verfügbarkeit prüfen