| Topologie | Sonstige Topologie |
| Schaltfrequenz | 920-1080 kHz |
| IC-Revision | A |
The LTC®3649 is a high efficiency 60V, 4A synchronous monolithic step-down regulator. The regulator features a single resistor programmable output voltage, internal compensation and high efficiencies over a wide VOUT range.
The step-down regulator operates from an input voltage range of 3.1V to 60V and provides an adjustable rail-to-rail output range from (VIN – 0.5V) to ground while delivering up to 4A of output current. The switching frequency is also adjusted with an external resistor. A user-selectable mode input is provided to allow the user to trade off ripple noise for efficiency at light loads; Burst Mode operation provides the highest efficiency at light loads, while forced continuous mode provides low output ripple. The MODE/ SYNC pin can also be used to allow the user to synchronize the switching frequency to an external clock.
The LTC3649 operates with a peak current mode architecture that allows for fast transient response with inherent cycle-to-cycle current limit protection. It also features programmable output current limit, current monitoring and input voltage regulation.
Remarks:
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.2 µH | Performance Nennstrom15.4 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand7.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, 12 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität5.5 µH | Performance Nennstrom12 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12 A | Gleichstromwiderstand10.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, 11 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität6.5 µH | Performance Nennstrom11 A | Sättigungsstrom 14.4 A | Sättigungsstrom @ 30%10 A | Gleichstromwiderstand12.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz27 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.8 µH, 10.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7.8 µH | Performance Nennstrom10.7 A | Sättigungsstrom 14.2 A | Sättigungsstrom @ 30%9.5 A | Gleichstromwiderstand13.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz23 MHz | MaterialSuperflux |