| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 3.6-15 V |
| Schaltfrequenz | 500-4000 kHz |
| Ausgang 1 | 3 V / 3 A |
| IC-Revision | B |
The LTC®3634 is a high efficiency, dual-channel monolithic synchronous step-down regulator which provides power supply and bus termination rails for DDR1, DDR2, and DDR3 SDRAM controllers. The operating input voltagerange is 3.6V to 15V, making it suitable for point-of-load power supply applications from a 5V or 12V input, as well as various battery powered systems.The VTT regulated output voltage is equal to VDDQIN•0.5. An on-chip buffer capable of driving a 10mA load pro- vides a low noise reference output (VTTR) also equal to VDDQIN •0.5.The operating frequency is programmable and synchronizable from 500kHz to 4MHz with an external resistor. The two channels can operate 180° out-of-phase, which relaxes the requirements for input and output capacitance.The unique controlled on-time architecture is ideal for powering DDR applications from a 12V supply at high switching frequencies, allowing the use of smaller external components.The LTC3634 is offered in both 28-pin 4mm × 5mm QFN and 28-pin exposed pad TSSOP packages.
Note: Inductor Selection Table is mentioned in page 14
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.24 µH, 28.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.24 µH | Performance Nennstrom28.8 A | Sättigungsstrom 118 A | Sättigungsstrom @ 30%40 A | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz220 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.52 µH, 19.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.52 µH | Performance Nennstrom19.2 A | Sättigungsstrom 18.5 A | Sättigungsstrom @ 30%20 A | Gleichstromwiderstand3.7 mΩ | Eigenresonanzfrequenz140 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.95 µH, 14.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.95 µH | Performance Nennstrom14.4 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand6.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz90 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.15 µH, 11.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.15 µH | Performance Nennstrom11.8 A | Sättigungsstrom 17.5 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand8.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz84 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 8.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom8.7 A | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand14.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz58 MHz | MaterialSuperflux |