IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (107)

Analog Devices LTC3634

15V Dual 3A Monolithic Step-Down Regulator for DDR Power

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung3.6-15 V
Schaltfrequenz500-4000 kHz
Ausgang 13 V / 3 A
IC-RevisionB

Beschreibung

The LTC®3634 is a high efficiency, dual-channel monolithic synchronous step-down regulator which provides power supply and bus termination rails for DDR1, DDR2, and DDR3 SDRAM controllers. The operating input voltagerange is 3.6V to 15V, making it suitable for point-of-load power supply applications from a 5V or 12V input, as well as various battery powered systems.The VTT regulated output voltage is equal to VDDQIN•0.5. An on-chip buffer capable of driving a 10mA load pro- vides a low noise reference output (VTTR) also equal to VDDQIN •0.5.The operating frequency is programmable and synchronizable from 500kHz to 4MHz with an external resistor. The two channels can operate 180° out-of-phase, which relaxes the requirements for input and output capacitance.The unique controlled on-time architecture is ideal for powering DDR applications from a 12V supply at high switching frequencies, allowing the use of smaller external components.The LTC3634 is offered in both 28-pin 4mm × 5mm QFN and 28-pin exposed pad TSSOP packages.

Eigenschaften

  • 3.6V to 15V Input Voltage Range
  • ±3A Output Current per Channel
  • Up to 95% Efficiency
  • Selectable 90°/180° Phase Shift Between Channels
  • Adjustable Switching Frequency: 500kHz to 4MHz
  • VTTR = VDDQ/2 = VTT Reference
  • ±1.6% Accurate VTTR at 0.75V
  • Optimal VOUT Range: 0.6V to 3V
  • ±10mA Buffered Output Supplies VREF Reference Voltage
  • Current Mode Operation for Excellent Line and Load Transient Response
  • External Clock Synchronization
  • Short-Circuit Protected
  • Input Overvoltage and Overtemperature Protection
  • Power Good Status Outputs
  • Available in (4mm × 5mm) QFN-28 and Thermally Enhanced 28-Lead TSSOP Packages

Note: Inductor Selection Table is mentioned in page 14

Typische Anwendungen

  • DDR Memory Power Supplies

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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ISAT,30%(A)
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fres(MHz)
Material
VPE
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.24 µH, 28.8 A

Anstehende PCN

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Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.24 µH
Performance Nennstrom28.8 A
Sättigungsstrom 118 A
Sättigungsstrom @ 30%40 A
Gleichstromwiderstand1.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz220 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.52 µH, 19.2 A

Anstehende PCN

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Verfügbarkeit
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.52 µH
Performance Nennstrom19.2 A
Sättigungsstrom 18.5 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand3.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz140 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.95 µH, 14.4 A

Anstehende PCN

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Verfügbarkeit
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AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.95 µH
Performance Nennstrom14.4 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand6.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz90 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.15 µH, 11.8 A

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.15 µH
Performance Nennstrom11.8 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand8.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 8.7 A

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 µH
Performance Nennstrom8.7 A
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Gleichstromwiderstand14.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz58 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
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