IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC3330

Nanopower Buck-Boost DC/DC with Energy Harvesting Battery Life Extender

Details

TopologieAbwärts- und Aufwärtswandler
Eingangsspannung1.8-5.5 V
Ausgang 10.05 A
IC-RevisionC

Beschreibung

The LTC®3330 integrates a high voltage energy harvesting power supply plus a DC/DC converter powered by a primary cell battery to create a single output supply for alternative energy applications. The energy harvesting power supply, consisting of an integrated full-wave bridge rectifier and a high voltage buck converter, harvests energy from piezoelectric, solar, or magnetic sources. The primary cell input powers a buck-boost converter capable of operation down to 1.8V at its input. Either DC/DC converter can deliver energy to a single output. The buck operates when harvested energy is available, reducing the quiescent current draw on the battery to essentially zero, thereby extending the life of the battery. The buck-boost powers VOUT only when harvested energy goes away.

A low noise LDO post regulator and a supercapacitor balancer are also integrated, accommodating a wide range of output storage configurations. Voltage and current settings for both inputs and outputs are programmable via pin-strapped logic inputs. The LTC3330 is available in a 5mm × 5mm QFN-32 package.

Eigenschaften

  • Dual Input, Single Output DC/DCs with Input Prioritizer
  • Energy Harvesting Input: 3.0V to 19V Buck DC/DC
  • Primary Cell Input: 1.8V to 5.5V Buck-Boost DC/DC
  • Zero Battery IQ When Energy Harvesting Source is Available
  • Ultralow Quiescent Current: 750nA at No-Load
  • Low Noise LDO Post Regulator
  • Integrated Supercapacitor Balancer
  • Up to 50mA of Output Current
  • Programmable DC/DC and LDO Output Voltages, Buck UVLO, and Buck-Boost Peak Input Current
  • Integrated Low Loss Full-Wave Bridge Rectifier
  • Input Protective Shunt: Up to 25mA at VIN ≥ 20V
  • 5mm × 5mm QFN-32 Package

Remarks:

  • The buck is optimized to work with a 22μH inductor in typical applications.
  • Refer page num 23 for more inductor values.

Typische Anwendungen

  • Mobile Asset Tracking
  • Energy Harvesting
  • Solar Powered Systems with Primary Cell Backup
  • Security Devices
  • Wireless HVAC Sensors

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.51 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.51 A
Sättigungsstrom0.36 A
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.42 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.42 A
Sättigungsstrom0.32 A
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.39 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.39 A
Sättigungsstrom0.25 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom0.25 A
Sättigungsstrom0.18 A
Eigenresonanzfrequenz10 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Nennstrom0.2 A
Sättigungsstrom0.16 A
Eigenresonanzfrequenz7 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 µH
Nennstrom0.15 A
Sättigungsstrom0.13 A
Eigenresonanzfrequenz5.5 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.24 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Nennstrom0.24 A
Sättigungsstrom0.125 A
Eigenresonanzfrequenz3 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.14 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 µH
Nennstrom0.14 A
Sättigungsstrom0.08 A
Eigenresonanzfrequenz2.3 MHz
MontageartSMT