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IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (108)

ReferenzdesignLTC3315B

Analog Devices LTC3315B

Dual 5V, 2A Synchronous Step-Down DC/DCs in 2mm × 2mm LQFN

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.25-5.5 V
Schaltfrequenz10000 kHz
Ausgang 15.5 V / 2 A

Beschreibung

The LTC®3315B features dual 2A monolithic synchronous step-down converters operating from a 2.25V to 5.5V input supply in one package for space-constrained applications with demanding performance requirements. Using constant frequency, peak current mode control at switching frequencies up to 10MHz with a minimum ontime as low as 25ns, both bucks achieve high efficiency and fast transient response in a very small application footprint.

Eigenschaften

  • Dual Outputs Each with 2A Output Current
  • High Efficiency: 19mΩ NMOS and 75mΩ PMOS
  • Wide Bandwidth, Fast Transient Response
  • Switching Frequency Synchronizable Up to 10MHz
  • VIN Range: 2.25V to 5.5V
  • VOUT Range: 0.5V to VIN
  • VOUT Accuracy: }1%
  • Low Ripple Burst ModeR Operation
  • Peak Current Mode Control
  • Minimum On-Time: 25ns
  • Safely Tolerates Inductor Saturation in Overload
  • Shutdown Current: 1.2μA
  • Precision 400mV Enable Thresholds
  • Internal Soft-Start and Compensation
  • Power Good Output
  • Low Profile, Thermally Enhanced 12-Lead 2mm × 2mm × 0.74mm LQFN Package
  • AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications

Typische Anwendungen

  • Servers, Optical Networking, Communications
  • Industrial
  • Telecom Supplies, Distributed DC Power Systems (POL), FPGA, ASIC, μP Core Supplies
  • Automotive

Weiterführende Informationen

Von Analog Devices freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744040240068
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel
Induktivität0.68 µH
–
–
–
–
Eigenresonanzfrequenz176 MHz
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand35 mΩ
–Verfügbarkeit prüfen
74479276168
SPECWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität, 0.68 µH, 3.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMCI Power Molded Chip Induktivität
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom 11.8 A
Sättigungsstrom @ 30%4 A
Gleichstromwiderstand49 mΩ
Eigenresonanzfrequenz130 MHz
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom3.4 A
–
–Verfügbarkeit prüfen