IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LTC3130-1

25V, 600mA Buck-Boost DC/DC Converter with 1.6µA Quiescent Current

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung2.5-25 V
Schaltfrequenz1000-1400 kHz
IC-Revision00

Beschreibung

The LTC3130/LTC3130-1 are high efficiency, low noise,600mA buck-boost converters with wide VIN and VOUTranges. For high efficiency operation at light loads,Burst Mode operation can be selected, reducing the quiescentcurrent to just 1.6μA. Converter start-up is achievedfrom sources as low as 7.5μW.

Eigenschaften

Regulates VOUT Above, Below or Equal to VINWide VIN Range: 2.4V to 25V <1V to 25V (Using EXTVCC Input)VOUT Range: 1V to 25VAdjustable Output Voltage (LTC3130)Four Selectable Fixed Output Voltages (LTC3130-1)1.2µA No-Load Input Current in Burst Mode® Operation (VIN = 12V, VOUT = 5V)600mA Output Current in Buck ModePin-Selectable 850mA/450mA Current Limit (LTC3130)Up to 95% EfficiencyPin-Selectable Burst Mode Operation1.2MHz Ultralow Noise PWM FrequencyAccurate RUN Pin Threshold n Power Good IndicatorProgrammable Maximum Power Point ControlIQ = 500nA in ShutdownThermally-Enhanced 20-Lead 3mm × 4mm QFN and 16-Lead MSOP Packages

Typische Anwendungen

  • Low Power Sensors
  • Portable Military Radios
  • Solar Panel Post-Regulator/Charger
  • Long-Life, Battery-Operated Instruments

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.35 A
Sättigungsstrom1.7 A
Eigenresonanzfrequenz84 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.2 A
Sättigungsstrom0.9 A
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom1.3 A
Eigenresonanzfrequenz59 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom0.85 A
Sättigungsstrom0.75 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1 A
Sättigungsstrom1.1 A
Eigenresonanzfrequenz41 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.74 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom0.74 A
Sättigungsstrom0.56 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 0.72 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom0.72 A
Sättigungsstrom0.9 A
Eigenresonanzfrequenz32 MHz
MontageartSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 0.62 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom0.62 A
Sättigungsstrom0.45 A
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartSMT