| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4-40 V |
| Schaltfrequenz | 1200 kHz |
| Ausgang 1 | 16 V |
| IC-Revision | B |
The LT®3470A is a micropower step-down DC/DC converter that integrates a 440mA power switch, catch diode and boost diode into low profile 2mm × 3mm DFN package. The LT3470A combines Burst Mode and continuous operation to allow the use of tiny inductor and capacitors while providing a low ripple output to loads of up to 250mA. With its wide input range of 4V to 40V, the LT3470A can regulate a wide variety of power sources, from 2-cell Li-Ion batteries to unregulated wall transformers and lead-acid batteries. Quiescent current in regulation is just 35μA in a typical application while a zero current shutdown mode disconnects the load from the input source, simplifying power management in battery-powered systems. Fast currentlimiting and hysteretic control protects the LT3470A and external components against shorted outputs, even at 40V input. The LT3470A has higher output current and improved start-up and dropout performance compared to the LT3470.
REMARKS:-REFERTable2.Inductor Vendors, page no.10
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.74 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom0.74 A | Sättigungsstrom0.56 A | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand205 mΩ | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.45 A | Sättigungsstrom1.74 A | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom 11.74 A | Sättigungsstrom @ 30%2 A | Gleichstromwiderstand182 mΩ | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 0.62 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom0.62 A | Sättigungsstrom0.45 A | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand285 mΩ | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom1.2 A | Sättigungsstrom1.46 A | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom1.35 A | Sättigungsstrom 11.46 A | Sättigungsstrom @ 30%1.65 A | Gleichstromwiderstand235 mΩ | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.51 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom0.51 A | Sättigungsstrom0.36 A | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | MontageartSMT | – | – | – | Gleichstromwiderstand450 mΩ | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom1 A | Sättigungsstrom1.22 A | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom1.2 A | Sättigungsstrom 11.22 A | Sättigungsstrom @ 30%1.42 A | Gleichstromwiderstand370 mΩ | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.86 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Nennstrom0.86 A | Sättigungsstrom0.9 A | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom1 A | Sättigungsstrom 11.1 A | Sättigungsstrom @ 30%1.26 A | Gleichstromwiderstand540 mΩ | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.68 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Nennstrom0.68 A | Sättigungsstrom0.77 A | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom0.8 A | Sättigungsstrom 10.85 A | Sättigungsstrom @ 30%0.98 A | Gleichstromwiderstand844 mΩ |