IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices LT3470A

Micropower Buck Regulator with Integrated Boost and Catch Diodes

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4-40 V
Schaltfrequenz1200 kHz
Ausgang 116 V
IC-RevisionB

Beschreibung

The LT®3470A is a micropower step-down DC/DC converter that integrates a 440mA power switch, catch diode and boost diode into low profile 2mm × 3mm DFN package. The LT3470A combines Burst Mode and continuous operation to allow the use of tiny inductor and capacitors while providing a low ripple output to loads of up to 250mA. With its wide input range of 4V to 40V, the LT3470A can regulate a wide variety of power sources, from 2-cell Li-Ion batteries to unregulated wall transformers and lead-acid batteries. Quiescent current in regulation is just 35μA in a typical application while a zero current shutdown mode disconnects the load from the input source, simplifying power management in battery-powered systems. Fast currentlimiting and hysteretic control protects the LT3470A and external components against shorted outputs, even at 40V input. The LT3470A has higher output current and improved start-up and dropout performance compared to the LT3470.

Eigenschaften

  • Low Quiescent Current: 35μA at 12VIN to 3.3VOUT
  • Integrated Boost and Catch Diodes
  • Input Range: 4V to 40V
  • 3.3V at 250mA from 4V to 40V Input
  • 5V at 250mA from 5.7V to 40V Input
  • Low Output Ripple: <10mV
  • <1μA in Shutdown Mode
  • Output Voltage: 1.25V to 16V
  • Hysteretic Mode Control
  • Low Ripple Burst Mode® Operation at Light Loads
  • Continuous Operation at Higher Loads
  • Solution Size as Small as 50mm2
  • Low Profile (0.75mm) 2mm × 3mm Thermally
  • Enhanced 8-Lead DFN Package

REMARKS:-REFERTable2.Inductor Vendors, page no.10

Typische Anwendungen

  • Industrial Supplies
  • Power for Portable Products
  • Wall Transformer Regulation
  • Distributed Supply Regulation
  • Automotive Battery Regulation

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.74 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom0.74 A
Sättigungsstrom0.56 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand205 mΩ
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.45 A
Sättigungsstrom1.74 A
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom1.8 A
Sättigungsstrom 11.74 A
Sättigungsstrom @ 30%2 A
Gleichstromwiderstand182 mΩ
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 0.62 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom0.62 A
Sättigungsstrom0.45 A
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand285 mΩ
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.2 A
Sättigungsstrom1.46 A
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom1.35 A
Sättigungsstrom 11.46 A
Sättigungsstrom @ 30%1.65 A
Gleichstromwiderstand235 mΩ
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.51 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.51 A
Sättigungsstrom0.36 A
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand450 mΩ
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1 A
Sättigungsstrom1.22 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom1.2 A
Sättigungsstrom 11.22 A
Sättigungsstrom @ 30%1.42 A
Gleichstromwiderstand370 mΩ
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.86 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.86 A
Sättigungsstrom0.9 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom1 A
Sättigungsstrom 11.1 A
Sättigungsstrom @ 30%1.26 A
Gleichstromwiderstand540 mΩ
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.68 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.68 A
Sättigungsstrom0.77 A
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom0.8 A
Sättigungsstrom 10.85 A
Sättigungsstrom @ 30%0.98 A
Gleichstromwiderstand844 mΩ