| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-15.5 V |
| Schaltfrequenz | 570-630 kHz |
| Ausgang 1 | 1.5 V / 2.5 A |
| Ausgang 2 | 2.5 V / 2 A |
| Ausgang 3 | 3.3 V / 2.5 A |
| Ausgang 4 | 1.2 V / 6 A |
| IC-Revision | E |
The ADP5054 combines four high performance buck regulators in a 48-lead LFCSP package that meets demanding performance and board space requirements. The device enables direct connection to high input voltages of up to 15.5 V with no preregulators.Channel 1 and Channel 2 integrate high-side power MOSFETs and low-side MOSFET drivers. External NFETs can be used in low-side power devices to achieve an efficiency optimized solution and to deliver a programmable output current of 2 A, 4 A, or 6 A. Combining Channel 1 and Channel 2 in a parallel configuration provides a single output with up to 12 A of current. Channel 3 and Channel 4 integrate both high-side and low-side MOSFETs to deliver an output current of 2.5 A. Combining Channel 3 and Channel 4 in a parallel configuration can provide a single output with up to 5 A of current. The switching frequency of the ADP5054 can be programmed or synchronized to an external clock from 250 kHz to 2 MHz, and an individual ½× frequency configuration is available for each channel. The ADP5054 contains an individual precision enable pin on each channel for easy power-up sequencing. The internal low 1/f noise reference is implemented in the ADP5054 for noise sensitive applications.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.76 µH, 22.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.76 µH | Performance Nennstrom22.9 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand2.25 mΩ | Eigenresonanzfrequenz200 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.1 µH, 19.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.1 µH | Performance Nennstrom19.6 A | Sättigungsstrom 16 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand3.15 mΩ | Eigenresonanzfrequenz135 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 13.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom13.8 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand5.85 mΩ | Eigenresonanzfrequenz68 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 8.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom8.1 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%11 A | Gleichstromwiderstand17.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | MaterialSuperflux |