IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices ADP2443

3 A, 36 V, Synchronous Step-Down DC-to-DC Regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung24 V
Schaltfrequenz200-1800 kHz
Ausgang 112 V / 3 A

Beschreibung

The ADP2443 is synchronous step-down, dc-to-dc regulator with an integrated 98 mΩ, high-side power metal oxide semicon-ductor field effect transistor (MOSFET) and a 35 mΩ, synchronous rectifier MOSFET to provide a high efficiency solution in a compact 4 mm × 4 mm LFCSP package. The regulators operate from an input voltage range of 4.5 V to 36 V. The output voltage can be adjusted down to 0.6 V and deliver up to 3 A of continuous current. The fast 50 ns minimum on time allows the regulators convert high input voltage to low output voltage at high frequency. The ADP2443 uses an emulated current mode, constant frequency pulse-width modulation (PWM) control scheme for excellent stability and transient response. The switching frequency of the ADP2443 can be programmed from 200 kHz to 1.8 MHz. The synchronization function allows the switching frequency be syn-chronized with an external clock to minimize the system noise. The ADP2443 targets high performance applications that require high efficiency and design flexibility. External compensation and an adjustable soft start function provide design flexibility. The power-good output and precision enable input provide simple and reliable power sequencing. Other key features include undervoltage lockout (UVLO), overvoltage protection (OVP), overcurrent protection (OCP), short-circuit protection (SCP), and thermal shutdown (TSD). The ADP2443 operates over the −40°C to +125°C operating junction temperature range and is available in a 24-lead, 4 mm × 4 mm LFCSP package.

Eigenschaften

  • Continuous output current: 3 A
  • Input voltage: 4.5 V to 36 V
  • Integrated MOSFETs: 98 mΩ/35 mΩ
  • Reference voltage: 0.6 V ± 1%
  • Fast minimum on time: 50 ns
  • Programmable switching frequency: 200 kHz to 1.8 MHz
  • Synchronizes to external clock: 200 kHz to 1.8 MHz
  • Precision enable and power good
  • Cycle-by-cycle current limit with hiccup protection
  • External compensation
  • Programmable soft start time
  • Startup into a precharged output
  • Supported by ADIsimPower design tool

Typische Anwendungen

  • Healthcare and medical
  • Process control and industrial automation
  • Intermediate power rail conversion, Multicell battery powered systems
  • Networking and servers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
Material
LR(µH)
fres(MHz)
Montageart
Muster
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 27.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom27.2 A
Sättigungsstrom 141.4 A
Sättigungsstrom @ 30%46 A
Gleichstromwiderstand2.65 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.67 µH
Eigenresonanzfrequenz140 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 0.68 µH, 16.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom16.7 A
Sättigungsstrom 118.8 A
Sättigungsstrom @ 30%33.8 A
Gleichstromwiderstand4.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz73 MHz
MontageartSMT 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.82 µH, 27.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Performance Nennstrom27.2 A
Sättigungsstrom 136.8 A
Sättigungsstrom @ 30%41.9 A
Gleichstromwiderstand2.65 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.81 µH
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 0.82 µH, 15.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Performance Nennstrom15.5 A
Sättigungsstrom 117.4 A
Sättigungsstrom @ 30%31.6 A
Gleichstromwiderstand4.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MontageartSMT 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 27.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom27.2 A
Sättigungsstrom 126.5 A
Sättigungsstrom @ 30%31.1 A
Gleichstromwiderstand2.65 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.95 µH
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 13.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom13.4 A
Sättigungsstrom 113 A
Sättigungsstrom @ 30%25.8 A
Gleichstromwiderstand6.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
MontageartSMT 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 21.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom21.7 A
Sättigungsstrom 126.8 A
Sättigungsstrom @ 30%31 A
Gleichstromwiderstand4 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität1.45 µH
Eigenresonanzfrequenz78 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 1.5 µH, 11.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom11.3 A
Sättigungsstrom 19.7 A
Sättigungsstrom @ 30%18.7 A
Gleichstromwiderstand9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MontageartSMT 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 17.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom17.4 A
Sättigungsstrom 122.5 A
Sättigungsstrom @ 30%25.6 A
Gleichstromwiderstand4.8 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität2.1 µH
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 9.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom9.9 A
Sättigungsstrom 110.5 A
Sättigungsstrom @ 30%19.1 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartSMT 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 14.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom14.1 A
Sättigungsstrom 119.3 A
Sättigungsstrom @ 30%22.8 A
Gleichstromwiderstand7.15 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität2.6 µH
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom7.5 A
Sättigungsstrom 17.9 A
Sättigungsstrom @ 30%15.1 A
Gleichstromwiderstand20.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
MontageartSMT 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 11.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom11.3 A
Sättigungsstrom 115 A
Sättigungsstrom @ 30%17.9 A
Gleichstromwiderstand9.9 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität3.8 µH
Eigenresonanzfrequenz49 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom @ 30%14.6 A
Gleichstromwiderstand30.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
MontageartSMT 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 6.8 µH, 8.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom8.9 A
Sättigungsstrom 112.4 A
Sättigungsstrom @ 30%16.6 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität4.5 µH
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom4.8 A
Sättigungsstrom 16.3 A
Sättigungsstrom @ 30%13.1 A
Gleichstromwiderstand51.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MontageartSMT 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 8.2 µH, 8.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom8.9 A
Sättigungsstrom 19.3 A
Sättigungsstrom @ 30%12.5 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität2.8 µH
Eigenresonanzfrequenz36 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 8.2 µH, 4.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom4.35 A
Sättigungsstrom 16 A
Sättigungsstrom @ 30%12.2 A
Gleichstromwiderstand63 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
MontageartSMT 
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 6.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom6.7 A
Sättigungsstrom 19.4 A
Sättigungsstrom @ 30%11.7 A
Gleichstromwiderstand23.1 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität5.5 µH
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 4.05 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom4.05 A
Sättigungsstrom 15.6 A
Sättigungsstrom @ 30%10.5 A
Gleichstromwiderstand69 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
MontageartSMT 
WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 22 µH, 2.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Performance Nennstrom2.75 A
Sättigungsstrom 14.15 A
Sättigungsstrom @ 30%8.5 A
Gleichstromwiderstand170 mΩ
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
MontageartSMT