| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-18 V |
| Schaltfrequenz | 200-2200 kHz |
| Ausgang 1 | 0.6 V / 12 A |
The ADP2389/ADP2390 are current mode control, synchronous step-down, dc-to-dc regulators. They integrate a 17 mΩ high-side power MOSFET and a 4.5 mΩ synchronous rectifier MOSFET to provide a high efficiency solution. The ADP2390 operates in pulse frequency modulation (PFM) mode to improve the system efficiency at light load. The ADP2389/ADP2390 run from an input voltage of 4.5 V to 18 V and can deliver up to 12 A of output current. The output voltage can be adjusted to 0.6 V and the switching frequency can be programmed between 200 kHz to 2200 kHz.The ADP2389/ADP2390 target high performance applications that require high efficiency and design flexibility. External compensation and soft start provide design flexibility. The power-good output and precision enable input provide simple and reliable power sequencing. An enhanced transient response feature improves the load transient performance, which reduces the output capacitance. Programmable current limit allows the user to optimized the inductor design and provide a compact solution.Other key features include undervoltage lockout (UVLO), overvoltage protection (OVP), overcurrent protection (OCP), and thermal shutdown (TSD).The ADP2389/ADP2390 operates over a −40°C to +125°C junction temperature range and is available in 32-lead, 5 mm × 5 mm LFCSP package.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC max.(mΩ) | LR(µH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, 35.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.22 µH | Performance Nennstrom35.2 A | Sättigungsstrom 190.5 A | Sättigungsstrom @ 30%96 A | – | Eigenresonanzfrequenz300 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand1.6 mΩ | Nenninduktivität0.22 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom31.3 A | Sättigungsstrom 146.5 A | Sättigungsstrom @ 30%54.9 A | – | Eigenresonanzfrequenz160 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand1.85 mΩ | Nenninduktivität0.47 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, 27.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.68 µH | Performance Nennstrom27.2 A | Sättigungsstrom 141.4 A | Sättigungsstrom @ 30%46 A | – | Eigenresonanzfrequenz140 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand2.65 mΩ | Nenninduktivität0.67 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 0.82 µH, 27.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.82 µH | Performance Nennstrom27.2 A | Sättigungsstrom 136.8 A | Sättigungsstrom @ 30%41.9 A | – | Eigenresonanzfrequenz120 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand2.65 mΩ | Nenninduktivität0.81 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 34 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom34 A | Sättigungsstrom 130.6 A | Sättigungsstrom @ 30%33.5 A | – | Eigenresonanzfrequenz96 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand2.5 mΩ | Nenninduktivität0.9 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 32.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.2 µH | Performance Nennstrom32.6 A | Sättigungsstrom 112 A | Sättigungsstrom @ 30%25 A | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand1.98 mΩ | Nenninduktivität1 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 21.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom21.7 A | Sättigungsstrom 126.8 A | Sättigungsstrom @ 30%31 A | – | Eigenresonanzfrequenz78 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand4 mΩ | Nenninduktivität1.45 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 17.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom17.4 A | Sättigungsstrom 122.5 A | Sättigungsstrom @ 30%25.6 A | – | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand4.8 mΩ | Nenninduktivität2.1 µH |