IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices ADP2387

20 V, 6 A, Synchronous, Step-Down DC-to-DC Regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-20 V
Schaltfrequenz200-1400 kHz
Ausgang 16 A
IC-RevisionB

Beschreibung

The ADP2387 is a synchronous step-down, dc-to-dc regulator with an integrated 44 mΩ, high-side power, metal oxide semiconductorfield effect transistor (MOSFET) and an 11 mΩ, synchronousrectifier MOSFET to provide a high efficiency solution in acompact 4 mm × 4 mm LFCSP. This device uses a peak currentmode, constant frequency pulse-width modulation (PWM)control scheme for excellent stability and transient response.The switching frequency of the ADP2387 can be programmedbetween 200 kHz to 1400 kHz.The ADP2387 requires minimal external components and operates from an input voltage of 4.5 V to 20 V. The output voltage canbe adjusted from 0.6 V to 90% of the input voltage and delivers up to 6 A of continuous current. Each IC draws less than 110 μAcurrent from the input source when it is disabled. This regulator targets high performance applications that requirehigh efficiency and design flexibility. External compensationand an adjustable soft start function provide design flexibility. The power-good output and precision enable input provide simple and reliable power sequencing. The programmablecurrent-limit function allows the inductor to be optimized by output current.Other key features include undervoltage lockout (UVLO), overvoltage protection (OVP), overcurrent protection (OCP),short-circuit protection (SCP), and thermal shutdown (TSD). The ADP2387 operates over the −40°C to +125°C junction temperature range and is available in a 24-lead, 4 mm × 4 mmLFCSP.

Eigenschaften

Input voltage range: 4.5 V to 20 V Integrated MOSFET: 44 mΩ typical/11 mΩ typical Reference voltage: 0.6 V ± 1% Continuous output current: 6 AProgrammable current-limit thresholdProgrammable switching frequency: 200 kHz to 1400 kHz Precision enable and power good External compensationInternal soft start with external adjustable optionStartup into a precharged outputSupported by ADIsimPower design tool

Typische Anwendungen

  • Healthcare and medical
  • Intermediate power rail conversion,DC-to-dc point of load applications
  • Industrial and instrumentation
  • Communications infrastructure,Networking and servers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 32.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Performance Nennstrom32.6 A
Sättigungsstrom 112 A
Sättigungsstrom @ 30%25 A
Gleichstromwiderstand1.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz75 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, 22.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Performance Nennstrom22.1 A
Sättigungsstrom 17 A
Sättigungsstrom @ 30%18 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.4 µH
Performance Nennstrom18.6 A
Sättigungsstrom 16.9 A
Sättigungsstrom @ 30%17 A
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom16.6 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz54 MHz
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.2 µH
Performance Nennstrom15.4 A
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand7.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
MaterialSuperflux