| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.5-20 V |
| Schaltfrequenz | 250-1400 kHz |
| Ausgang 1 | 18 V / 6 A |
The ADP2381 is a current mode control, synchronous, step-down, dc-to-dc regulator. It integrates a 44 mΩ power MOSFET and a low-side driver to provide a high efficiency solution. The ADP2381 runs from an input voltage of 4.5 V to 20 V and can deliver 6 A of output current. The output voltage can be adjusted to 0.6 V to 90% of the input voltage. The switching frequency of the ADP2381 can be programmed from 250 kHz to 1.4 MHz or fixed at 290 kHz or 550 kHz. The synchronization function allows the switching frequency to be synchronized to an external clock to minimize system noise.External compensation and an adjustable soft start provide design flexibility. The power-good output provides simple and reliable power sequencing. Additional features include programmable undervoltage lockout (UVLO), overvoltage protection (OVP), overcurrent protection (OCP), and thermal shutdown (TSD).The ADP2381 operates over the −40°C to +125°C junction temperature range and is available in a 16-lead TSSOP_EP package.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, 32.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.2 µH | Performance Nennstrom32.6 A | Sättigungsstrom 112 A | Sättigungsstrom @ 30%25 A | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, 22.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.8 µH | Performance Nennstrom22.1 A | Sättigungsstrom 17 A | Sättigungsstrom @ 30%18 A | Gleichstromwiderstand3.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, 18.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.4 µH | Performance Nennstrom18.6 A | Sättigungsstrom 16.9 A | Sättigungsstrom @ 30%17 A | Gleichstromwiderstand4.75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz67 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 16.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom16.6 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand5.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz54 MHz | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.2 µH | Performance Nennstrom15.4 A | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand7.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MaterialSuperflux |