IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices ADP2166

5.5 V, 5 A/6 A, High Efficiency, Step-Down DC-to-DC Regulators with Output Tracking

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung0.9-5 V
Schaltfrequenz250-1400 kHz
Ausgang 13.3 V
IC-RevisionA

Beschreibung

The ADP2165/ADP2166 are designed to be extremely flexible with the addition of a minimal amount of external components to program soft start and control loop compensation.The ADP2165/ADP2166 are supplied from an input voltage of 2.7 V to 5.5 V. Output voltage options include 3.3 V, 2.5 V, 1.8 V, 1.5 V, 1.2 V, or 1.0 V fixed outputs and adjustable options capable of supporting an output voltage range from 0.6 V to 90% of the input voltage. Protection features include undervoltage lockout (UVLO), overvoltage protection (OVP), overcurrent protection (OCP), and thermal shutdown (TSD) for robust performance.The ADP2165/ADP2166 operate over the −40°C to +125°C junction temperature range and are available in a 24-lead LFCSP_WQ package.

Eigenschaften

  • Continuous output current
  • ADP2165: 5 A
  • ADP2166: 6 A
  • Integrated MOSFET
  • High-side on resistance: 19 mΩ
  • Low-side on resistance: 15 mΩ
  • Reference voltage: 0.6 V ± 1% over temperature range
  • Input voltage range: 2.7 V to 5.5 V
  • Current mode architecture
  • Switching frequency
    • Fixed frequency: 620 kHz or 1.2 MHz
    • Adjustable frequency: 250 kHz to 1.4 MHz
    • Synchronizes to external clock: 250 kHz to 1.4 MHz
  • Selectable synchronize phase shift: in phase or out of phase
  • External compensation
  • Programmable soft start
  • Startup into a precharged output
  • Voltage tracking input
  • Power-good output and precision enable input
  • Accurate current limit
  • Available in 24-lead, 4 mm × 4 mm LFCSP_WQ package

Typische Anwendungen

  • Point of load regulation/ Industrial/ instrumentation
  • Communications and networking
  • healthcare
  • High end consumer

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
RDC max.(mΩ)
LR(µH)
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, 36.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Performance Nennstrom36.4 A
Sättigungsstrom 115 A
Sättigungsstrom @ 30%32 A
Gleichstromwiderstand1.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz290 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand1.1 mΩ
Nenninduktivität0.18 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom31.9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
Gleichstromwiderstand1.35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz235 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand1.485 mΩ
Nenninduktivität0.38 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.76 µH, 22.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.76 µH
Performance Nennstrom22.9 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%15 A
Gleichstromwiderstand2.25 mΩ
Eigenresonanzfrequenz200 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand2.475 mΩ
Nenninduktivität0.6 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 16.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom16.8 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%19 A
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
Nenninduktivität0.78 µH
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 13.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom13.8 A
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand6.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz72 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand7.26 mΩ
Nenninduktivität1.12 µH
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 14.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom14.8 A
Sättigungsstrom 111.3 A
Sättigungsstrom @ 30%12.9 A
Eigenresonanzfrequenz97 MHz
MaterialFerrite 
Gleichstromwiderstand5.6 mΩ
Nenninduktivität1.4 µH
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 12.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom12.3 A
Sättigungsstrom 18.4 A
Sättigungsstrom @ 30%10.8 A
Eigenresonanzfrequenz81 MHz
MaterialFerrite 
Gleichstromwiderstand8.2 mΩ
Nenninduktivität1.55 µH