| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.7-5.5 V |
| Schaltfrequenz | 620-1200 kHz |
| Ausgang 1 | 3.3 V / 5 A |
| IC-Revision | A |
The ADP2165/ADP2166 are designed to be extremely flexible with the addition of a minimal amount of external components to program soft start and control loop compensation.The ADP2165/ADP2166 are supplied from an input voltage of 2.7 V to 5.5 V. Output voltage options include 3.3 V, 2.5 V, 1.8 V, 1.5 V, 1.2 V, or 1.0 V fixed outputs and adjustable options capable of supporting an output voltage range from 0.6 V to 90% of the input voltage. Protection features include undervoltage lockout (UVLO), overvoltage protection (OVP), overcurrent protection (OCP), and thermal shutdown (TSD) for robust performance.The ADP2165/ADP2166 operate over the −40°C to +125°C junction temperature range and are available in a 24-lead LFCSP_WQ package.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC max.(mΩ) | LR(µH) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.22 µH, 36.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.22 µH | Performance Nennstrom36.4 A | Sättigungsstrom 115 A | Sättigungsstrom @ 30%32 A | Gleichstromwiderstand1.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz290 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand1.1 mΩ | Nenninduktivität0.18 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, 31.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.47 µH | Performance Nennstrom31.9 A | Sättigungsstrom 19 A | Sättigungsstrom @ 30%20 A | Gleichstromwiderstand1.35 mΩ | Eigenresonanzfrequenz235 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand1.485 mΩ | Nenninduktivität0.38 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.76 µH, 22.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.76 µH | Performance Nennstrom22.9 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%15 A | Gleichstromwiderstand2.25 mΩ | Eigenresonanzfrequenz200 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand2.475 mΩ | Nenninduktivität0.6 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 16.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | Nenninduktivität0.78 µH | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 13.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom13.8 A | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand6.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz72 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand7.26 mΩ | Nenninduktivität1.12 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 14.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom14.8 A | Sättigungsstrom 111.3 A | Sättigungsstrom @ 30%12.9 A | – | Eigenresonanzfrequenz97 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand5.6 mΩ | Nenninduktivität1.4 µH | ||||
![]() | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 12.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom12.3 A | Sättigungsstrom 18.4 A | Sättigungsstrom @ 30%10.8 A | – | Eigenresonanzfrequenz81 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand8.2 mΩ | Nenninduktivität1.55 µH |