Design Kit WE-PD SMT-Speicherdrosseln 1030/1050

Artikel Nr. 7447713

Anwendung

  • Schaltregler mit Ausgangsleistungen von 0.1 W bis 300 W
  • Integrierte DC/DC-Wandler
  • Ideal für Schaltregler mit extrem hohem Wirkungsgrad (>95%)

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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
Bauform
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom9.5 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 10 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom10 A
Sättigungsstrom12.5 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom5.1 A
Sättigungsstrom8.5 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 8.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom8.6 A
Sättigungsstrom9.5 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom7.2 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom7.5 A
Sättigungsstrom9 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom6 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom7 A
Sättigungsstrom8 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Nennstrom6 A
Sättigungsstrom7.2 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 5.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom5.2 A
Sättigungsstrom5.8 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom4.7 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom4.1 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 4.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom4.3 A
Sättigungsstrom5 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom3.4 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom4.1 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.7 A
Sättigungsstrom2.7 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom3.6 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom1.35 A
Sättigungsstrom2.2 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom2.9 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom1.2 A
Sättigungsstrom1.9 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom2.5 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 56 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität56 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom2.3 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom1.6 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom1.9 A
Sättigungsstrom2.2 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 0.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 µH
Nennstrom0.95 A
Sättigungsstrom1.5 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 µH
Nennstrom1.6 A
Sättigungsstrom1.85 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom0.9 A
Sättigungsstrom1.4 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom1.8 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität150 µH
Nennstrom1.2 A
Sättigungsstrom1.4 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Nennstrom1 A
Sättigungsstrom1.2 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.48 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 µH
Nennstrom0.48 A
Sättigungsstrom0.73 A
Bauform1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.71 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 µH
Nennstrom0.71 A
Sättigungsstrom1 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Nennstrom0.6 A
Sättigungsstrom0.82 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 680 µH, 0.51 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität680 µH
Nennstrom0.51 A
Sättigungsstrom0.71 A
Bauform1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.43 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1000 µH
Nennstrom0.43 A
Sättigungsstrom0.55 A
Bauform1050