Design Kit WE-HCI SMT-Speicherdrosseln 1030/1040/1050
Artikel Nr. 744355
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | Tol. L | RDC(mΩ) | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.15 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.15 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand0.58 mΩ | Bauform1040 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.16 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.16 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand0.51 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.2 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.2 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand0.82 mΩ | Bauform1030 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.3 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.3 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand1.1 mΩ | Bauform1040 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.33 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.33 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand2.17 mΩ | Bauform1030 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.4 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.4 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand0.67 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.56 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.56 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand2.17 mΩ | Bauform1030 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.56 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.56 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand1.61 mΩ | Bauform1040 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.68 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand4.79 mΩ | Bauform1030 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.72 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität0.72 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand1.3 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand4.79 mΩ | Bauform1030 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand3.3 mΩ | Bauform1040 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.2 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand6.6 mΩ | Bauform1030 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.2 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand1.8 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand6.6 mΩ | Bauform1030 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand5.3 mΩ | Bauform1040 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.8 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand3.5 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand7.3 mΩ | Bauform1040 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand11.38 mΩ | Bauform1030 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.4 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand4.75 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.8 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand10.6 mΩ | Bauform1040 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand5.9 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.2 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand7.1 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.3 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.3 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand14.1 mΩ | Bauform1040 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität5.5 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand10.3 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.6 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität5.6 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand20.6 mΩ | Bauform1040 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität6.5 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand12.5 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.8 µH, ±20 | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7.8 µH | Induktivität±20 | Gleichstromwiderstand13.6 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand16.3 mΩ | Bauform1050 | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 16 µH, ±20% | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität16 µH | Induktivität±20% | Gleichstromwiderstand34.5 mΩ | Bauform1050 |
