Design Kit WE-HCI SMT-Speicherdrosseln 1030/1040/1050

Artikel Nr. 744355

Anwendung

  • Grafikkarten
  • Laptops
  • Industriecomputer
  • Mainboards
  • Hochtemperaturanwendungen
  • DC/DC-Wandler
  • Multiphase-Schaltregler
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L(µH)
Tol. L
RDC(mΩ)
Bauform
Muster
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.15 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.15 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand0.58 mΩ
Bauform1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.16 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.16 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand0.51 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.2 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand0.82 mΩ
Bauform1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.3 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.3 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand1.1 mΩ
Bauform1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.33 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand2.17 mΩ
Bauform1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.4 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.4 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand0.67 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.56 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand2.17 mΩ
Bauform1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.56 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand1.61 mΩ
Bauform1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.68 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand4.79 mΩ
Bauform1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.72 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.72 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand1.3 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand4.79 mΩ
Bauform1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand3.3 mΩ
Bauform1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand6.6 mΩ
Bauform1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand1.8 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand6.6 mΩ
Bauform1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand5.3 mΩ
Bauform1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.8 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand7.3 mΩ
Bauform1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand11.38 mΩ
Bauform1030 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.4 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.4 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand4.75 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.8 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand10.6 mΩ
Bauform1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.2 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand7.1 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.3 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.3 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand14.1 mΩ
Bauform1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.5 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.5 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand10.3 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 5.6 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand20.6 mΩ
Bauform1040 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.5 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand12.5 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.8 µH, ±20
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.8 µH
Induktivität±20 
Gleichstromwiderstand13.6 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand16.3 mΩ
Bauform1050 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 16 µH, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität16 µH
Induktivität±20% 
Gleichstromwiderstand34.5 mΩ
Bauform1050