Design Kit WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Artikel Nr. 744300
Anwendung
- Multiphase Schaltregler
- CPU/RAM Stromversorgung
- Power PC
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(nH) | LR(nH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 72 nH, 71 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität72 nH | Nenninduktivität71 nH | Nennstrom30 A | – | Gleichstromwiderstand0.235 mΩ | Eigenresonanzfrequenz150 MHz | MaterialMnZn | Bauform7050 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 100 nH, 100 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität100 nH | Nenninduktivität100 nH | Nennstrom24 A | Sättigungsstrom52 A | Gleichstromwiderstand0.17 mΩ | Eigenresonanzfrequenz105 MHz | MaterialMnZn | Bauform1240 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 105 nH, 104 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität105 nH | Nenninduktivität104 nH | Nennstrom30 A | Sättigungsstrom45 A | Gleichstromwiderstand0.235 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | MaterialMnZn | Bauform7050 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 120 nH, 118 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität120 nH | Nenninduktivität118 nH | Nennstrom26 A | – | Gleichstromwiderstand0.29 mΩ | Eigenresonanzfrequenz66 MHz | MaterialMnZn | Bauform7070 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 120 nH, 118 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität120 nH | Nenninduktivität118 nH | Nennstrom31 A | – | Gleichstromwiderstand0.325 mΩ | Eigenresonanzfrequenz150 MHz | MaterialMnZn | Bauform1050 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 120 nH, 120 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität120 nH | Nenninduktivität120 nH | Nennstrom47.5 A | – | Gleichstromwiderstand0.165 mΩ | Eigenresonanzfrequenz65 MHz | MaterialMnZn | Bauform1390 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 150 nH, 125 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität150 nH | Nenninduktivität125 nH | Nennstrom30 A | – | Gleichstromwiderstand0.235 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | MaterialMnZn | Bauform7050 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 150 nH, 150 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität150 nH | Nenninduktivität150 nH | Nennstrom25 A | – | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | MaterialMnZn | Bauform1070 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 155 nH, 150 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität155 nH | Nenninduktivität150 nH | Nennstrom31 A | – | Gleichstromwiderstand0.325 mΩ | Eigenresonanzfrequenz110 MHz | MaterialMnZn | Bauform1050 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 160 nH, 155 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität160 nH | Nenninduktivität155 nH | Nennstrom26 A | – | Gleichstromwiderstand0.29 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | MaterialMnZn | Bauform7070 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 160 nH, 155 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität160 nH | Nenninduktivität155 nH | Nennstrom24 A | Sättigungsstrom32 A | Gleichstromwiderstand0.17 mΩ | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MaterialMnZn | Bauform1240 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 200 nH, 198 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität200 nH | Nenninduktivität198 nH | Nennstrom25 A | – | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MaterialMnZn | Bauform1070 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 200 nH, 195 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität200 nH | Nenninduktivität195 nH | Nennstrom25 A | – | Gleichstromwiderstand0.26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz51 MHz | MaterialMnZn | Bauform1052 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 174 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität220 nH | Nenninduktivität174 nH | Nennstrom26 A | – | Gleichstromwiderstand0.29 mΩ | Eigenresonanzfrequenz38 MHz | MaterialMnZn | Bauform7070 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 180 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität220 nH | Nenninduktivität180 nH | Nennstrom31 A | – | Gleichstromwiderstand0.325 mΩ | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MaterialMnZn | Bauform1050 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 160 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität220 nH | Nenninduktivität160 nH | Nennstrom24 A | Sättigungsstrom23 A | Gleichstromwiderstand0.17 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | MaterialMnZn | Bauform1240 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 220 nH, 215 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität220 nH | Nenninduktivität215 nH | Nennstrom26 A | – | Gleichstromwiderstand0.155 mΩ | Eigenresonanzfrequenz36 MHz | MaterialMnZn | Bauform1350 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, 246 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität250 nH | Nenninduktivität246 nH | Nennstrom25 A | – | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | MaterialMnZn | Bauform1070 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, 240 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität250 nH | Nenninduktivität240 nH | Nennstrom25 A | – | Gleichstromwiderstand0.26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz38 MHz | MaterialMnZn | Bauform1052 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, 250 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität250 nH | Nenninduktivität250 nH | Nennstrom38 A | – | Gleichstromwiderstand0.32 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | MaterialMnZn | Bauform1190 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 250 nH, 245 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität250 nH | Nenninduktivität245 nH | Nennstrom47.5 A | – | Gleichstromwiderstand0.165 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | MaterialMnZn | Bauform1390 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 300 nH, 220 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität300 nH | Nenninduktivität220 nH | Nennstrom25 A | – | Gleichstromwiderstand0.26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz31 MHz | MaterialMnZn | Bauform1052 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 305 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität330 nH | Nenninduktivität305 nH | Nennstrom25 A | – | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | MaterialMnZn | Bauform1070 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 325 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität330 nH | Nenninduktivität325 nH | Nennstrom38 A | – | Gleichstromwiderstand0.32 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MaterialMnZn | Bauform1190 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 270 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität330 nH | Nenninduktivität270 nH | Nennstrom26 A | – | Gleichstromwiderstand0.155 mΩ | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | MaterialMnZn | Bauform1350 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 330 nH, 310 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität330 nH | Nenninduktivität310 nH | Nennstrom47.5 A | – | Gleichstromwiderstand0.165 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MaterialMnZn | Bauform1390 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 400 nH, 345 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität400 nH | Nenninduktivität345 nH | Nennstrom25 A | – | Gleichstromwiderstand0.37 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | MaterialMnZn | Bauform1070 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 400 nH, 100 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität400 nH | Nenninduktivität100 nH | Nennstrom26 A | – | Gleichstromwiderstand0.155 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MaterialMnZn | Bauform1350 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 240 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität470 nH | Nenninduktivität240 nH | Nennstrom38 A | – | Gleichstromwiderstand0.32 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MaterialMnZn | Bauform1190 | ||||
| WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 470 nH, 200 nH | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität470 nH | Nenninduktivität200 nH | Nennstrom47.5 A | – | Gleichstromwiderstand0.165 mΩ | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | MaterialMnZn | Bauform1390 |
