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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
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Muster
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.22 µH, 4.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom4.5 A
Sättigungsstrom9.5 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.22 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom13.5 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.22 µH, 5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom13 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 4.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Nennstrom4.1 A
Sättigungsstrom8.3 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 3.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.56 µH
Nennstrom3.8 A
Sättigungsstrom8.1 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 3.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Nennstrom3.4 A
Sättigungsstrom6.5 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom5.4 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom3.3 A
Sättigungsstrom6.5 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3.2 A
Sättigungsstrom5.5 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.1 A
Sättigungsstrom3.6 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom4 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom4.6 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.1 A
Sättigungsstrom3.5 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom3.6 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 3.5 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.5 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom2.8 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom2.9 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom3.2 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom2.1 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom0.9 A
Sättigungsstrom1.6 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.38 A
Sättigungsstrom2.1 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.65 A
Sättigungsstrom2.1 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom1.6 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.65 A
Sättigungsstrom1.1 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.85 A
Sättigungsstrom1.3 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom1.4 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.45 A
Sättigungsstrom0.9 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.75 A
Sättigungsstrom1.1 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Nennstrom0.9 A
Sättigungsstrom1.2 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.4 A
Sättigungsstrom0.75 A
Bauform4818 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.66 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.66 A
Sättigungsstrom1 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Nennstrom0.8 A
Sättigungsstrom1.05 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität68 µH
Nennstrom0.6 A
Sättigungsstrom0.85 A
Bauform4838 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 0.46 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität82 µH
Nennstrom0.46 A
Sättigungsstrom0.68 A
Bauform4828 
WE-SPC SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.52 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Nennstrom0.52 A
Sättigungsstrom0.68 A
Bauform4838