Design Kit WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor

Artikel Nr. 7440502

Anwendung

  • Integrierte DC/DC-Wandler mit hohen Rippelströmen
  • Schaltregler mit hohen Wirkungsgradanforderungen
  • Tragbare Geräte (Smartphones, Digital Kameras, Tablets, etc.)
  • Embedded PC-Karten

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L(µH)
ISAT(A)
IR(A)
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Muster
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 15.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Sättigungsstrom15.5 A
Nennstrom4.5 A
Bauform4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 5.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Sättigungsstrom5.6 A
Nennstrom2.9 A
Bauform2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Sättigungsstrom8 A
Nennstrom3.15 A
Bauform3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 0.47 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Sättigungsstrom4.7 A
Nennstrom2.2 A
Bauform2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom9.5 A
Nennstrom4 A
Bauform4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 5.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom5.4 A
Nennstrom2.4 A
Bauform3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom4.2 A
Nennstrom2.35 A
Bauform2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1 µH, 3.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom3.85 A
Nennstrom1.65 A
Bauform2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 8.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Sättigungsstrom8.7 A
Nennstrom3.2 A
Bauform4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Sättigungsstrom3.5 A
Nennstrom2.1 A
Bauform2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 4.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Sättigungsstrom4.1 A
Nennstrom2.2 A
Bauform3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 1.5 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Sättigungsstrom2.3 A
Nennstrom1.4 A
Bauform2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 7.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom7.6 A
Nennstrom2.6 A
Bauform4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom3 A
Nennstrom1.6 A
Bauform2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 3.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom3.35 A
Nennstrom1.75 A
Bauform3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 2.2 µH, 2.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom2.15 A
Nennstrom1.25 A
Bauform2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 3.3 µH, 5.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom5.9 A
Nennstrom2.3 A
Bauform4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 4.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom4.9 A
Nennstrom2.1 A
Bauform4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom1.9 A
Nennstrom1 A
Bauform2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom2.5 A
Nennstrom1.2 A
Bauform3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 4.7 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom1.5 A
Nennstrom0.8 A
Bauform2010 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 6.8 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Sättigungsstrom4.2 A
Nennstrom1.9 A
Bauform4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom3.5 A
Nennstrom1.7 A
Bauform4020 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom1.2 A
Nennstrom0.8 A
Bauform2512 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom1.45 A
Nennstrom0.85 A
Bauform3012 
WE-LQSH SMT Semi-Shielded High Saturation Power Inductor, 10 µH, 0.95 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom0.95 A
Nennstrom0.58 A
Bauform2010