Design Kit WE-LQ SMT-Induktivitäten
Artikel Nr. 744032
Anwendung
- DC/DC-Schaltregler von Linear Technology, National Semiconductor, Texas Instruments, Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Maxim, Semtech, MPS, Exar, Analogic Tech, Diodes und Cologne Chip
- EMV-Filter
- HF-Schaltungen
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC max.(Ω) | fres(MHz) | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1 µH, 0.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität1 µH | Nennstrom0.75 A | Sättigungsstrom3.2 A | Gleichstromwiderstand0.1 Ω | Eigenresonanzfrequenz100 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1 µH, 1.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität1 µH | Nennstrom1.8 A | Sättigungsstrom4.4 A | Gleichstromwiderstand0.08 Ω | Eigenresonanzfrequenz165 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1.5 µH, 0.66 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität1.5 µH | Nennstrom0.66 A | Sättigungsstrom2.1 A | Gleichstromwiderstand0.13 Ω | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1.5 µH, 1.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität1.5 µH | Nennstrom1.75 A | Sättigungsstrom4 A | Gleichstromwiderstand0.09 Ω | Eigenresonanzfrequenz130 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1.8 µH, 0.64 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität1.8 µH | Nennstrom0.64 A | Sättigungsstrom2 A | Gleichstromwiderstand0.14 Ω | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 1.8 µH, 1.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität1.8 µH | Nennstrom1.7 A | Sättigungsstrom3.5 A | Gleichstromwiderstand0.1 Ω | Eigenresonanzfrequenz100 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 2.2 µH, 0.62 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität2.2 µH | Nennstrom0.62 A | Sättigungsstrom1.8 A | Gleichstromwiderstand0.15 Ω | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 2.2 µH, 1.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität2.2 µH | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom2.75 A | Gleichstromwiderstand0.11 Ω | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 2.7 µH, 0.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität2.7 µH | Nennstrom0.6 A | Sättigungsstrom1.6 A | Gleichstromwiderstand0.18 Ω | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 2.7 µH, 1.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität2.7 µH | Nennstrom1.5 A | Sättigungsstrom2.7 A | Gleichstromwiderstand0.12 Ω | Eigenresonanzfrequenz63 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 3.3 µH, 0.58 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität3.3 µH | Nennstrom0.58 A | Sättigungsstrom1.5 A | Gleichstromwiderstand0.2 Ω | Eigenresonanzfrequenz38 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 3.3 µH, 1.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität3.3 µH | Nennstrom1.4 A | Sättigungsstrom2.7 A | Gleichstromwiderstand0.13 Ω | Eigenresonanzfrequenz58 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 3.9 µH, 0.54 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität3.9 µH | Nennstrom0.54 A | Sättigungsstrom1.35 A | Gleichstromwiderstand0.25 Ω | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 3.9 µH, 1.32 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität3.9 µH | Nennstrom1.32 A | Sättigungsstrom2.5 A | Gleichstromwiderstand0.14 Ω | Eigenresonanzfrequenz54 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 4.7 µH, 0.49 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität4.7 µH | Nennstrom0.49 A | Sättigungsstrom1.25 A | Gleichstromwiderstand0.28 Ω | Eigenresonanzfrequenz31 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 4.7 µH, 1.24 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.24 A | Sättigungsstrom2 A | Gleichstromwiderstand0.15 Ω | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 5.6 µH, 0.44 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität5.6 µH | Nennstrom0.44 A | Sättigungsstrom1.15 A | Gleichstromwiderstand0.36 Ω | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 5.6 µH, 1.18 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität5.6 µH | Nennstrom1.18 A | Sättigungsstrom1.9 A | Gleichstromwiderstand0.18 Ω | Eigenresonanzfrequenz41 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 6.8 µH, 0.42 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität6.8 µH | Nennstrom0.42 A | Sättigungsstrom1.1 A | Gleichstromwiderstand0.4 Ω | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 6.8 µH, 1.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität6.8 µH | Nennstrom1.1 A | Sättigungsstrom1.6 A | Gleichstromwiderstand0.2 Ω | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 8.2 µH, 0.39 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität8.2 µH | Nennstrom0.39 A | Sättigungsstrom0.95 A | Gleichstromwiderstand0.45 Ω | Eigenresonanzfrequenz23 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 8.2 µH, 1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität8.2 µH | Nennstrom1 A | Sättigungsstrom1.6 A | Gleichstromwiderstand0.25 Ω | Eigenresonanzfrequenz34 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 10 µH, 0.32 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität10 µH | Nennstrom0.32 A | Sättigungsstrom0.85 A | Gleichstromwiderstand0.65 Ω | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 10 µH, 0.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität10 µH | Nennstrom0.95 A | Sättigungsstrom1.5 A | Gleichstromwiderstand0.3 Ω | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 12 µH, 0.29 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität12 µH | Nennstrom0.29 A | Sättigungsstrom0.78 A | Gleichstromwiderstand0.7 Ω | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 12 µH, 0.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität12 µH | Nennstrom0.8 A | Sättigungsstrom1.4 A | Gleichstromwiderstand0.42 Ω | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 15 µH, 0.27 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität15 µH | Nennstrom0.27 A | Sättigungsstrom0.7 A | Gleichstromwiderstand1 Ω | Eigenresonanzfrequenz16 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 15 µH, 0.73 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität15 µH | Nennstrom0.73 A | Sättigungsstrom1.24 A | Gleichstromwiderstand0.5 Ω | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 18 µH, 0.24 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität18 µH | Nennstrom0.24 A | Sättigungsstrom0.65 A | Gleichstromwiderstand1.1 Ω | Eigenresonanzfrequenz15 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 18 µH, 0.68 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität18 µH | Nennstrom0.68 A | Sättigungsstrom1.1 A | Gleichstromwiderstand0.6 Ω | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 22 µH, 0.22 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität22 µH | Nennstrom0.22 A | Sättigungsstrom0.6 A | Gleichstromwiderstand1.3 Ω | Eigenresonanzfrequenz14 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 22 µH, 0.63 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität22 µH | Nennstrom0.63 A | Sättigungsstrom1 A | Gleichstromwiderstand0.7 Ω | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | Bauform1812 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 68 µH, 0.13 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität68 µH | Nennstrom0.13 A | Sättigungsstrom0.3 A | Gleichstromwiderstand3.8 Ω | Eigenresonanzfrequenz9 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 100 µH, 0.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität100 µH | Nennstrom0.1 A | Sättigungsstrom0.25 A | Gleichstromwiderstand6.5 Ω | Eigenresonanzfrequenz8 MHz | Bauform1210 | ||||
| WE-LQ SMT-Induktivität, 120 µH, 0.095 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQ SMT-Induktivität | Induktivität120 µH | Nennstrom0.095 A | Sättigungsstrom0.18 A | Gleichstromwiderstand7 Ω | Eigenresonanzfrequenz7 MHz | Bauform1210 |