WE-TDC SMT-Doppeldrossel
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
8018
8 8 1.8
8038
8 8 3.8

Merkmale

  • Kernmaterial: NiZn
  • Flache Bauform
  • Magnetisch geschirmt und somit geringes Streufeld
  • 8x8 mm Gehäuse
  • Betriebstemperatur von -40 bis +125°C
  • 1:1 Transformer
  • geringe Eigenverluste
  • höhere Eigenresonanzfrequenz
  • Geringe Streuinduktivität
  • Doppeldrossel mit zwei identischen Wicklungen
  • empfohlenes Lötverfahren: Reflow

Anwendung

  • Potentialgebundener Sperrwandler
  • Auf- oder Abwärtswandler mit auxiliary Wicklung
  • BUCK-BOOST, SEPIC, ZETA & CUK Wandler
  • Schaltregler mit sekundärer mit ungeregelter Ausgangsspannung

Duett der Meisterklasse!

Die WE-MCRI ist eine innovative, gemoldete Doppeldrossel. Der vollautomatische Produktionsprozess mit Bifilarwicklung ermöglicht einen fast idealen Kopplungskoeffizienten von bis zu 0,995.

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L1(µH)
L2(µH)
n
IR 1(A)
IR 2(A)
ISAT 1(A)
ISAT1(A)
ISAT2(A)
RDC1 typ(mΩ)
RDC2 typ(mΩ)
RDC1 max(mΩ)
RDC2 max(mΩ)
fres 1(MHz)
Design Kit
Muster
744894300033
0.33 µH, 0.33 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10.33 µH
Induktivität 20.33 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14 A
Nennstrom 24 A
Sättigungsstrom [1]9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom 29 A
Gleichstromwiderstand 111.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 211.1 mΩ
Gleichstromwiderstand 115 mΩ
Gleichstromwiderstand 215 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]280 MHz
Design Kit
744894400039
0.39 µH, 0.39 µH, 1:1
Simu­lation
Status NRNDi| Produktion ist aktiv. Der Artikel ist nicht empfohlen für neue Designs. Erwartete Lebenszeit: 2-5 Jahre.
Induktivität 10.39 µH
Induktivität 20.39 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 14.5 A
Nennstrom 24.5 A
Sättigungsstrom [1]14 A
Sättigungsstrom 114 A
Sättigungsstrom 214 A
Gleichstromwiderstand 111.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 211.6 mΩ
Gleichstromwiderstand 114.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 214.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]210 MHz
Design Kit
744894300068
0.68 µH, 0.68 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10.68 µH
Induktivität 20.68 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.3 A
Nennstrom 23.3 A
Sättigungsstrom [1]6.5 A
Sättigungsstrom 16.5 A
Sättigungsstrom 26.5 A
Gleichstromwiderstand 116.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 216.3 mΩ
Gleichstromwiderstand 121 mΩ
Gleichstromwiderstand 221 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]190 MHz
Design Kit
744894400082
0.82 µH, 0.82 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10.82 µH
Induktivität 20.82 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.7 A
Nennstrom 23.7 A
Sättigungsstrom [1]9.6 A
Sättigungsstrom 19.6 A
Sättigungsstrom 29.6 A
Gleichstromwiderstand 115.9 mΩ
Gleichstromwiderstand 215.9 mΩ
Gleichstromwiderstand 120 mΩ
Gleichstromwiderstand 220 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]140 MHz
Design Kit
74489430010
1 µH, 1 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11 µH
Induktivität 21 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.85 A
Nennstrom 22.85 A
Sättigungsstrom [1]5.1 A
Sättigungsstrom 15.1 A
Sättigungsstrom 25.1 A
Gleichstromwiderstand 122.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 222.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 128 mΩ
Gleichstromwiderstand 228 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]136 MHz
Design Kit
74489440012
1.2 µH, 1.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.2 µH
Induktivität 21.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 13.05 A
Nennstrom 23.05 A
Sättigungsstrom [1]7.5 A
Sättigungsstrom 17.5 A
Sättigungsstrom 27.5 A
Gleichstromwiderstand 120.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 220.2 mΩ
Gleichstromwiderstand 126 mΩ
Gleichstromwiderstand 226 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]90 MHz
Design Kit
74489440018
1.8 µH, 1.8 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 11.8 µH
Induktivität 21.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.85 A
Nennstrom 22.85 A
Sättigungsstrom [1]5.8 A
Sättigungsstrom 15.8 A
Sättigungsstrom 25.8 A
Gleichstromwiderstand 125.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 225.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 131 mΩ
Gleichstromwiderstand 231 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
74489430022
2.2 µH, 2.2 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.2 µH
Induktivität 22.2 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.9 A
Nennstrom 21.9 A
Sättigungsstrom [1]3.5 A
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom 23.5 A
Gleichstromwiderstand 149.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 249.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 158 mΩ
Gleichstromwiderstand 258 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]85 MHz
Design Kit
74489430027
2.7 µH, 2.7 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.7 µH
Induktivität 22.7 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.85 A
Nennstrom 21.85 A
Sättigungsstrom [1]3 A
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom 23 A
Gleichstromwiderstand 169.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 269.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 180.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 280.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]65 MHz
Design Kit
74489440027
2.7 µH, 2.7 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12.7 µH
Induktivität 22.7 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.5 A
Nennstrom 22.5 A
Sättigungsstrom [1]5.1 A
Sättigungsstrom 15.1 A
Sättigungsstrom 25.1 A
Gleichstromwiderstand 134.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 234.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 140 mΩ
Gleichstromwiderstand 240 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]55 MHz
Design Kit
74489440036
3.6 µH, 3.6 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.6 µH
Induktivität 23.6 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 12.3 A
Nennstrom 22.3 A
Sättigungsstrom [1]4.6 A
Sättigungsstrom 14.6 A
Sättigungsstrom 24.6 A
Gleichstromwiderstand 147 mΩ
Gleichstromwiderstand 247 mΩ
Gleichstromwiderstand 153 mΩ
Gleichstromwiderstand 253 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]45 MHz
Design Kit
74489430039
3.9 µH, 3.9 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 13.9 µH
Induktivität 23.9 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.6 A
Nennstrom 21.6 A
Sättigungsstrom [1]2.55 A
Sättigungsstrom 12.55 A
Sättigungsstrom 22.55 A
Gleichstromwiderstand 182 mΩ
Gleichstromwiderstand 282 mΩ
Gleichstromwiderstand 194 mΩ
Gleichstromwiderstand 294 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]60 MHz
Design Kit
74489440047
4.7 µH, 4.7 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 14.7 µH
Induktivität 24.7 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.85 A
Nennstrom 21.85 A
Sättigungsstrom [1]4.2 A
Sättigungsstrom 14.2 A
Sättigungsstrom 24.2 A
Gleichstromwiderstand 154.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 254.5 mΩ
Gleichstromwiderstand 164 mΩ
Gleichstromwiderstand 264 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]30 MHz
Design Kit
74489430056
5.6 µH, 5.6 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15.6 µH
Induktivität 25.6 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.45 A
Nennstrom 21.45 A
Sättigungsstrom [1]2.2 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom 22.2 A
Gleichstromwiderstand 1114 mΩ
Gleichstromwiderstand 2114 mΩ
Gleichstromwiderstand 1131 mΩ
Gleichstromwiderstand 2131 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]50 MHz
Design Kit
74489430068
6.8 µH, 6.8 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.25 A
Nennstrom 21.25 A
Sättigungsstrom [1]2 A
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom 22 A
Gleichstromwiderstand 1128 mΩ
Gleichstromwiderstand 2128 mΩ
Gleichstromwiderstand 1146 mΩ
Gleichstromwiderstand 2146 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]46 MHz
Design Kit
74489440068
6.8 µH, 6.8 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 16.8 µH
Induktivität 26.8 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.45 A
Nennstrom 21.45 A
Sättigungsstrom [1]3.2 A
Sättigungsstrom 13.2 A
Sättigungsstrom 23.2 A
Gleichstromwiderstand 188 mΩ
Gleichstromwiderstand 288 mΩ
Gleichstromwiderstand 1100 mΩ
Gleichstromwiderstand 2100 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]25 MHz
Design Kit
74489430100
10 µH, 10 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11 A
Nennstrom 21 A
Sättigungsstrom [1]1.65 A
Sättigungsstrom 11.65 A
Sättigungsstrom 21.65 A
Gleichstromwiderstand 1190 mΩ
Gleichstromwiderstand 2190 mΩ
Gleichstromwiderstand 1215 mΩ
Gleichstromwiderstand 2215 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]35 MHz
Design Kit
74489440100
10 µH, 10 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 110 µH
Induktivität 210 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.35 A
Nennstrom 21.35 A
Sättigungsstrom [1]2.6 A
Sättigungsstrom 12.6 A
Sättigungsstrom 22.6 A
Gleichstromwiderstand 1113 mΩ
Gleichstromwiderstand 2113 mΩ
Gleichstromwiderstand 1128 mΩ
Gleichstromwiderstand 2128 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]23 MHz
Design Kit
74489430120
12 µH, 12 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 112 µH
Induktivität 212 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 10.95 A
Nennstrom 20.95 A
Sättigungsstrom [1]1.55 A
Sättigungsstrom 11.55 A
Sättigungsstrom 21.55 A
Gleichstromwiderstand 1202 mΩ
Gleichstromwiderstand 2202 mΩ
Gleichstromwiderstand 1227 mΩ
Gleichstromwiderstand 2227 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]33 MHz
Design Kit
74489440120
12 µH, 12 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 112 µH
Induktivität 212 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.3 A
Nennstrom 21.3 A
Sättigungsstrom [1]2.3 A
Sättigungsstrom 12.3 A
Sättigungsstrom 22.3 A
Gleichstromwiderstand 1117 mΩ
Gleichstromwiderstand 2117 mΩ
Gleichstromwiderstand 1132 mΩ
Gleichstromwiderstand 2132 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]20 MHz
Design Kit
74489430150
15 µH, 15 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 115 µH
Induktivität 215 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 10.85 A
Nennstrom 20.85 A
Sättigungsstrom [1]1.25 A
Sättigungsstrom 11.3 A
Sättigungsstrom 21.3 A
Gleichstromwiderstand 1262 mΩ
Gleichstromwiderstand 2262 mΩ
Gleichstromwiderstand 1295 mΩ
Gleichstromwiderstand 2295 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]29 MHz
Design Kit
74489440150
15 µH, 15 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 115 µH
Induktivität 215 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.1 A
Nennstrom 21.1 A
Sättigungsstrom [1]2.2 A
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom 22.2 A
Gleichstromwiderstand 1165 mΩ
Gleichstromwiderstand 2165 mΩ
Gleichstromwiderstand 1185 mΩ
Gleichstromwiderstand 2185 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]17 MHz
Design Kit
74489430180
18 µH, 18 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 118 µH
Induktivität 218 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 10.8 A
Nennstrom 20.8 A
Sättigungsstrom [1]1.2 A
Sättigungsstrom 11.2 A
Sättigungsstrom 21.2 A
Gleichstromwiderstand 1345 mΩ
Gleichstromwiderstand 2345 mΩ
Gleichstromwiderstand 1380 mΩ
Gleichstromwiderstand 2380 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]27 MHz
Design Kit
74489440180
18 µH, 18 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 118 µH
Induktivität 218 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11.05 A
Nennstrom 21.05 A
Sättigungsstrom [1]1.9 A
Sättigungsstrom 11.9 A
Sättigungsstrom 21.9 A
Gleichstromwiderstand 1179 mΩ
Gleichstromwiderstand 2179 mΩ
Gleichstromwiderstand 1201 mΩ
Gleichstromwiderstand 2201 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]15 MHz
Design Kit
74489430220
22 µH, 22 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 10.7 A
Nennstrom 20.7 A
Sättigungsstrom [1]1.1 A
Sättigungsstrom 11.1 A
Sättigungsstrom 21.1 A
Gleichstromwiderstand 1435 mΩ
Gleichstromwiderstand 2435 mΩ
Gleichstromwiderstand 1480 mΩ
Gleichstromwiderstand 2480 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]17 MHz
Design Kit
74489440220
22 µH, 22 µH, 1:1
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 122 µH
Induktivität 222 µH
Übersetzungsverhältnis1:1 
Nennstrom 11 A
Nennstrom 21 A
Sättigungsstrom [1]1.8 A
Sättigungsstrom 11.8 A
Sättigungsstrom 21.8 A
Gleichstromwiderstand 1203 mΩ
Gleichstromwiderstand 2203 mΩ
Gleichstromwiderstand 1228 mΩ
Gleichstromwiderstand 2228 mΩ
Eigenresonanzfrequenz [1]14 MHz
Design Kit

REDEXPERT-Verlustsimulation

Finden Sie die beste Drossel!

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REDEXPERT verfügt über das weltweit genaueste AC-Verlustmodell, das sogar den DC-Bias-Strom berücksichtigt. Mit dedizierten DC/DC-Topologien oder dem generischen Verlustsimulator können Sie die AC- und DC-Verluste Ihres Wandlers präzise bestimmen. Das Modell berücksichtigt das Kernmaterial, die Form und die Wicklungsstruktur der Drossel. REDEXPERT empfiehlt passende Drosseln und ermöglicht es Ihnen, weitere Filter hinzuzufügen, um die optimale Drossel für Ihre Anwendung zu finden.

Schematische Darstellungen des Redexpert Verlust-Simulators

Sortimente

Artikel dieser Produktserie finden Sie in den folgenden Sortimenten:

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WE-MCRI – Innovative Molded Coupled Inductor by Würth Elektronik eiSos