Design Kit WE-MI Multilayer SMT Inductors
Artikel Nr. 744790
Merkmale
- Musterkoffer beinhaltet Bauteile der Multilayer SMT Induktivitäten WE-MI
- Bauform 0603, 0805 und 1206
- Induktivitätswerte von 0,047 µH bis 22 µH
- 3 Bauformen, 38 Werte, 1140 Bauteile
- Wiederbefüllung gratis
Anwendung
- Filterschaltungen
- Oszillatoren
- Anpassungsnetzwerke
- Diskret aufgebaute T- oder π-Filter
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR 1(mA) | Q(%) | Testbedingung Q | RDC max.(Ω) | fres(MHz) | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.047 µH, 50 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.047 µH | Nennstrom 150 mA | Güte10 % | Güte50 MHz | Gleichstromwiderstand0.25 Ω | Eigenresonanzfrequenz260 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.047 µH, 300 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.047 µH | Nennstrom 1300 mA | Güte20 % | Güte50 MHz | Gleichstromwiderstand0.2 Ω | Eigenresonanzfrequenz320 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.1 µH, 50 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.1 µH | Nennstrom 150 mA | Güte15 % | Güte25 MHz | Gleichstromwiderstand0.5 Ω | Eigenresonanzfrequenz240 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.1 µH, 250 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.1 µH | Nennstrom 1250 mA | Güte20 % | Güte25 MHz | Gleichstromwiderstand0.3 Ω | Eigenresonanzfrequenz255 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.1 µH, 250 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.1 µH | Nennstrom 1250 mA | Güte20 % | Güte25 MHz | Gleichstromwiderstand0.25 Ω | Eigenresonanzfrequenz270 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.22 µH, 50 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.22 µH | Nennstrom 150 mA | Güte15 % | Güte25 MHz | Gleichstromwiderstand0.8 Ω | Eigenresonanzfrequenz170 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.22 µH, 250 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.22 µH | Nennstrom 1250 mA | Güte20 % | Güte25 MHz | Gleichstromwiderstand0.5 Ω | Eigenresonanzfrequenz195 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.22 µH, 250 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.22 µH | Nennstrom 1250 mA | Güte20 % | Güte25 MHz | Gleichstromwiderstand0.4 Ω | Eigenresonanzfrequenz170 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.47 µH, 35 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.47 µH | Nennstrom 135 mA | Güte15 % | Güte25 MHz | Gleichstromwiderstand1 Ω | Eigenresonanzfrequenz120 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.47 µH, 200 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.47 µH | Nennstrom 1200 mA | Güte25 % | Güte25 MHz | Gleichstromwiderstand0.6 Ω | Eigenresonanzfrequenz140 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.47 µH, 200 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität0.47 µH | Nennstrom 1200 mA | Güte25 % | Güte25 MHz | Gleichstromwiderstand0.6 Ω | Eigenresonanzfrequenz125 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 1 µH, 25 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität1 µH | Nennstrom 125 mA | Güte35 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand0.6 Ω | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 1 µH, 50 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität1 µH | Nennstrom 150 mA | Güte45 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand0.4 Ω | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 1 µH, 100 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität1 µH | Nennstrom 1100 mA | Güte45 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand0.4 Ω | Eigenresonanzfrequenz87 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 2.2 µH, 15 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität2.2 µH | Nennstrom 115 mA | Güte35 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand1 Ω | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 2.2 µH, 30 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität2.2 µH | Nennstrom 130 mA | Güte45 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand0.6 Ω | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 2.2 µH, 50 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität2.2 µH | Nennstrom 150 mA | Güte45 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand0.6 Ω | Eigenresonanzfrequenz58 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 3.3 µH, 15 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität3.3 µH | Nennstrom 115 mA | Güte35 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand1.4 Ω | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 3.3 µH, 30 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität3.3 µH | Nennstrom 130 mA | Güte45 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand0.8 Ω | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 3.3 µH, 50 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität3.3 µH | Nennstrom 150 mA | Güte45 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand0.7 Ω | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 4.7 µH, 15 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität4.7 µH | Nennstrom 115 mA | Güte35 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand1.8 Ω | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 4.7 µH, 30 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität4.7 µH | Nennstrom 130 mA | Güte45 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand1 Ω | Eigenresonanzfrequenz41 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 4.7 µH, 50 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität4.7 µH | Nennstrom 150 mA | Güte45 % | Güte10 MHz | Gleichstromwiderstand0.9 Ω | Eigenresonanzfrequenz41 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 6.8 µH, 5 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität6.8 µH | Nennstrom 15 mA | Güte35 % | Güte4 MHz | Gleichstromwiderstand1.7 Ω | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 6.8 µH, 25 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität6.8 µH | Nennstrom 125 mA | Güte50 % | Güte4 MHz | Gleichstromwiderstand0.9 Ω | Eigenresonanzfrequenz29 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 10 µH, 3 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität10 µH | Nennstrom 13 mA | Güte30 % | Güte2 MHz | Gleichstromwiderstand1.85 Ω | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 10 µH, 15 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität10 µH | Nennstrom 115 mA | Güte50 % | Güte2 MHz | Gleichstromwiderstand1 Ω | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 10 µH, 25 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität10 µH | Nennstrom 125 mA | Güte50 % | Güte2 MHz | Gleichstromwiderstand0.6 Ω | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | |||
| WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 12 µH, 15 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten | Induktivität12 µH | Nennstrom 115 mA | Güte50 % | Güte2 MHz | Gleichstromwiderstand1.1 Ω | Eigenresonanzfrequenz26 MHz |
