Design Kit WE-MI Multilayer SMT Inductors

Artikel Nr. 744790

Merkmale

  • Musterkoffer beinhaltet Bauteile der Multilayer SMT Induktivitäten WE-MI
  • Bauform 0603, 0805 und 1206
  • Induktivitätswerte von 0,047 µH bis 22 µH
  • 3 Bauformen, 38 Werte, 1140 Bauteile
  • Wiederbefüllung gratis

Anwendung

  • Filterschaltungen
  • Oszillatoren
  • Anpassungsnetzwerke
  • Diskret aufgebaute T- oder π-Filter

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L(µH)
IR 1(mA)
Q(%)
Testbedingung Q
RDC max.(Ω)
fres(MHz)
Muster
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.047 µH, 50 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.047 µH
Nennstrom 150 mA
Güte10 %
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz260 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.047 µH, 300 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.047 µH
Nennstrom 1300 mA
Güte20 %
Güte50 MHz 
Gleichstromwiderstand0.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz320 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.1 µH, 50 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom 150 mA
Güte15 %
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand0.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz240 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.1 µH, 250 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom 1250 mA
Güte20 %
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand0.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz255 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.1 µH, 250 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.1 µH
Nennstrom 1250 mA
Güte20 %
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand0.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz270 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.22 µH, 50 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom 150 mA
Güte15 %
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand0.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz170 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.22 µH, 250 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom 1250 mA
Güte20 %
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand0.5 Ω
Eigenresonanzfrequenz195 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.22 µH, 250 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom 1250 mA
Güte20 %
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand0.4 Ω
Eigenresonanzfrequenz170 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.47 µH, 35 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom 135 mA
Güte15 %
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.47 µH, 200 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom 1200 mA
Güte25 %
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz140 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 0.47 µH, 200 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Nennstrom 1200 mA
Güte25 %
Güte25 MHz 
Gleichstromwiderstand0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz125 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 1 µH, 25 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom 125 mA
Güte35 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 1 µH, 50 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom 150 mA
Güte45 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand0.4 Ω
Eigenresonanzfrequenz85 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 1 µH, 100 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom 1100 mA
Güte45 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand0.4 Ω
Eigenresonanzfrequenz87 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 2.2 µH, 15 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom 115 mA
Güte35 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 2.2 µH, 30 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom 130 mA
Güte45 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 2.2 µH, 50 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom 150 mA
Güte45 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz58 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 3.3 µH, 15 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom 115 mA
Güte35 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand1.4 Ω
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 3.3 µH, 30 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom 130 mA
Güte45 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand0.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 3.3 µH, 50 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom 150 mA
Güte45 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand0.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz48 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 4.7 µH, 15 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom 115 mA
Güte35 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand1.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 4.7 µH, 30 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom 130 mA
Güte45 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Eigenresonanzfrequenz41 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 4.7 µH, 50 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom 150 mA
Güte45 %
Güte10 MHz 
Gleichstromwiderstand0.9 Ω
Eigenresonanzfrequenz41 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 6.8 µH, 5 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom 15 mA
Güte35 %
Güte4 MHz 
Gleichstromwiderstand1.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 6.8 µH, 25 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom 125 mA
Güte50 %
Güte4 MHz 
Gleichstromwiderstand0.9 Ω
Eigenresonanzfrequenz29 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 10 µH, 3 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom 13 mA
Güte30 %
Güte2 MHz 
Gleichstromwiderstand1.85 Ω
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 10 µH, 15 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom 115 mA
Güte50 %
Güte2 MHz 
Gleichstromwiderstand1 Ω
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 10 µH, 25 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom 125 mA
Güte50 %
Güte2 MHz 
Gleichstromwiderstand0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz26 MHz
WE-MI SMT-Multilayer-Induktivitäten, 12 µH, 15 mA
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Nennstrom 115 mA
Güte50 %
Güte2 MHz 
Gleichstromwiderstand1.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz26 MHz