Design Kit WE-TPC SMT-Speicherdrosseln 4828/5818/5828

Artikel Nr. 744043

Anwendung

  • Tragbare Geräte wie PDA, Digitalkamera, PCMCIA-Karten und Displays
  • DC/DC-Schaltregler
  • Embedded PC
  • Mobile Datenerfassung, Telemetrie

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L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
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Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3.1 A
Sättigungsstrom2.8 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom3.5 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom2.7 A
Sättigungsstrom2.45 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom2.6 A
Sättigungsstrom3 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom2.35 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.5 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.5 µH
Nennstrom2.4 A
Sättigungsstrom2.7 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.6 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.6 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom2.7 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 2.7 µH, 2.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Nennstrom2.35 A
Sättigungsstrom1.95 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom2.4 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3 µH
Nennstrom2.8 A
Sättigungsstrom2.5 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom2.15 A
Sättigungsstrom1.8 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.9 µH, 1.72 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom1.72 A
Sättigungsstrom1.65 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 3.9 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Nennstrom2 A
Sättigungsstrom2.1 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.2 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.2 µH
Nennstrom2.5 A
Sättigungsstrom2.2 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom1.55 A
Sättigungsstrom1.7 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom2.4 A
Sättigungsstrom1.95 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5 µH, 1.65 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5 µH
Nennstrom1.65 A
Sättigungsstrom1.8 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5.3 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.3 µH
Nennstrom2.3 A
Sättigungsstrom1.9 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Nennstrom1.38 A
Sättigungsstrom1.3 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 µH
Nennstrom1.45 A
Sättigungsstrom1.6 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 µH
Nennstrom2.2 A
Sättigungsstrom1.7 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom1.25 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 7.5 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.5 µH
Nennstrom1.35 A
Sättigungsstrom1.5 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom1.3 A
Sättigungsstrom1.25 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 2.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom2.1 A
Sättigungsstrom1.6 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 9 µH, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9 µH
Nennstrom1.25 A
Sättigungsstrom1.35 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.19 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.19 A
Sättigungsstrom1 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.1 A
Sättigungsstrom1.25 A
Bauform5818 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom1.5 A
Sättigungsstrom1.4 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 1.12 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Nennstrom1.12 A
Sättigungsstrom0.95 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 1.46 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität12 µH
Nennstrom1.46 A
Sättigungsstrom1.25 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.03 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.03 A
Sättigungsstrom0.75 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.38 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.38 A
Sättigungsstrom1.15 A
Bauform5828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 0.98 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Nennstrom0.98 A
Sättigungsstrom0.7 A
Bauform4828 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.925 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom0.925 A
Sättigungsstrom0.7 A
Bauform4828