Design Kit WE-LQS SMT-Speicherdrosseln 4012/4018/5020/5040
Artikel Nr. 7440405
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 3.25 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Nennstrom3.25 A | Sättigungsstrom4.25 A | Gleichstromwiderstand28 mΩ | Eigenresonanzfrequenz274 MHz | Bauform4012 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 4.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.47 µH | Nennstrom4.9 A | Sättigungsstrom8.5 A | Gleichstromwiderstand13.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz252 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.52 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom2.52 A | Sättigungsstrom3.35 A | Gleichstromwiderstand41 mΩ | Eigenresonanzfrequenz142 MHz | Bauform4012 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 3.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom3.2 A | Sättigungsstrom4.8 A | Gleichstromwiderstand27 mΩ | Eigenresonanzfrequenz120 MHz | Bauform4018 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 3.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom3.9 A | Sättigungsstrom6.3 A | Gleichstromwiderstand19.8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz145 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 4.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom4.9 A | Sättigungsstrom8 A | Gleichstromwiderstand12 mΩ | Eigenresonanzfrequenz187 MHz | Bauform5040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom2.2 A | Sättigungsstrom3.4 A | Gleichstromwiderstand42 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | Bauform4018 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom3 A | Sättigungsstrom4.2 A | Gleichstromwiderstand31.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz88 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom1.75 A | Sättigungsstrom1.8 A | Gleichstromwiderstand69 mΩ | Eigenresonanzfrequenz78 MHz | Bauform4012 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom2 A | Sättigungsstrom2.9 A | Gleichstromwiderstand55 mΩ | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | Bauform4018 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom3.4 A | Sättigungsstrom4.3 A | Gleichstromwiderstand24 mΩ | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | Bauform5040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.55 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.55 A | Sättigungsstrom1.3 A | Gleichstromwiderstand91 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Bauform4012 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom1.7 A | Sättigungsstrom2.2 A | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | Bauform4018 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom2.3 A | Sättigungsstrom2.7 A | Gleichstromwiderstand55.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz57 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom3 A | Sättigungsstrom3.8 A | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Eigenresonanzfrequenz43 MHz | Bauform5040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.32 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.32 A | Sättigungsstrom1 A | Gleichstromwiderstand168 mΩ | Eigenresonanzfrequenz38 MHz | Bauform4012 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.2 A | Sättigungsstrom1.7 A | Gleichstromwiderstand150 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | Bauform4018 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom1.6 A | Sättigungsstrom1.95 A | Gleichstromwiderstand109 mΩ | Eigenresonanzfrequenz37 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom2.1 A | Sättigungsstrom2.5 A | Gleichstromwiderstand64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz26 MHz | Bauform5040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.15 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom1.15 A | Sättigungsstrom1.35 A | Gleichstromwiderstand225 mΩ | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.65 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Nennstrom0.65 A | Sättigungsstrom0.6 A | Gleichstromwiderstand628 mΩ | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | Bauform4012 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.65 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Nennstrom0.65 A | Sättigungsstrom0.9 A | Gleichstromwiderstand460 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16 MHz | Bauform4018 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Nennstrom0.95 A | Sättigungsstrom1.1 A | Gleichstromwiderstand387 mΩ | Eigenresonanzfrequenz15 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Nennstrom1.2 A | Sättigungsstrom1.4 A | Gleichstromwiderstand188 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | Bauform5040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.56 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Nennstrom0.56 A | Sättigungsstrom0.55 A | Gleichstromwiderstand987 mΩ | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | Bauform4012 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Nennstrom0.6 A | Sättigungsstrom0.7 A | Gleichstromwiderstand620 mΩ | Eigenresonanzfrequenz11 MHz | Bauform4018 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Nennstrom0.8 A | Sättigungsstrom0.95 A | Gleichstromwiderstand521 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität47 µH | Nennstrom1 A | Sättigungsstrom1.2 A | Gleichstromwiderstand272 mΩ | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | Bauform5040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 0.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität68 µH | Nennstrom0.45 A | Sättigungsstrom0.48 A | Gleichstromwiderstand1495 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | Bauform4012 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.43 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität100 µH | Nennstrom0.43 A | Sättigungsstrom0.3 A | Gleichstromwiderstand1697 mΩ | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | Bauform4012 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.55 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität100 µH | Nennstrom0.55 A | Sättigungsstrom0.6 A | Gleichstromwiderstand1090 mΩ | Eigenresonanzfrequenz8.7 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität100 µH | Nennstrom0.7 A | Sättigungsstrom0.82 A | Gleichstromwiderstand560 mΩ | Eigenresonanzfrequenz7.2 MHz | Bauform5040 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.42 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität100 µH | Nennstrom0.42 A | Sättigungsstrom0.56 A | Gleichstromwiderstand1430 mΩ | Eigenresonanzfrequenz8 MHz | Bauform4018 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität330 µH | Nennstrom0.2 A | Sättigungsstrom0.3 A | Gleichstromwiderstand5300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz4.2 MHz | Bauform4018 | ||||
| WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität1000 µH | Nennstrom0.2 A | Sättigungsstrom0.24 A | Gleichstromwiderstand6000 mΩ | Eigenresonanzfrequenz1.9 MHz | Bauform5040 |