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IC-Referenzdesignsuche

Transphorm TPH3206PSB | Demoboard TDINV 3 000 W 0 5 0

650V 150mΩ GaN FET in TO-220

Details

TopologieLeistungsfaktor-Korrektur
Eingangsspannung0-400 V
Ausgang 11000 V
IC-Revision2.0

Beschreibung

The TDINV1000P100 1kW inverter evaluation kit provides an easy way to evaluate the performance advantages of GaN FETs in various inverter applications, such as solar and UPS. The kit provides the main features of a single-phase inverter in a proven, functional configuration, operating at or above 100kHz. At the core of the inverter are four 150mΩ GaN FETs configured as a full bridge and includes flexible microcontroller options. The TDINV1000P100-KIT is for evaluation purposes only.

Eigenschaften

  • JEDEC qualified GaN technology
  • Dynamic RDS(on)eff production tested
  • Robust design, defined by
  • Intrinsic lifetime tests
  • Wide gate safety margin
  • Transient over-voltage capability
  • Very low QRR
  • Reduced crossover loss
  • RoHS-compliant and Halogen-free packaging

Typische Anwendungen

  • Datacom
  • Broad industrial
  • Servo motor
  • PV inverter

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr. Daten­blatt Downloads ProduktserieCTol. CVR
(V (DC))
BauformKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Technische Artikelnummer Muster
885012006008SPEC

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

7 Dateien WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC)100 pF ±5% 10 0603 NP0 Klasse I 1.6 0.8 0.8 NP00603101J010DFCT10000
885012008014SPEC

Anstehende PCN

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7 Dateien WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC)220 pF ±5% 16 1206 NP0 Klasse I 3.2 1.6 0.8 NP01206221J016DFCT10000
Artikel Nr. Daten­blatt
885012006008SPEC

Anstehende PCN

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885012008014SPEC

Anstehende PCN

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Muster
Artikel Nr. Daten­blatt Downloads ProduktserieCTol. CVR
(V (DC))
BauformKeramiktypL
(mm)
W
(mm)
H
(mm)
Technische Artikelnummer Muster