Mit innovativen Verbesserungen im inneren Aufbau setzt das jüngste Modell der WE-HCF-SMT-Hochstrominduktivitäten von Würth Elektronik neue Standards in seiner Klasse. WE-HCF in der Bauform 2010 bietet deutlich bessere Eigenschaften als bisher verfügbare Induktivitäten in dieser Größe: Induktivitätswerte bis zu 2 μH und bis zu 25 Prozent höhere Sättigungsströme als bei vergleichbaren Produkten auf dem Markt.

Die magnetisch geschirmte Flachdrahtspule mit MnZn-Kern beeindruckt mit einem geringen Widerstand von 0,84 mΩ und niedrigen Kernverlusten. Die empfohlene 3-Pin-Kontaktierung gewährleistet die mechanische Stabilität der WE-HCF, welche für eine Betriebstemperatur von -40 bis +125 °C ausgelegt ist. Mögliche Anwendungen sind beispielsweise POL-Regler für FPGA, ASIC und GPU, hocheffiziente DC/DC-Wandler, Hochstromschaltnetzteile, Vorwärtswandler, Halbbrücken- und Vollbrückenwandler sowie Batterieladegeräte und Solarwechselrichter.

WE-HCF 2010 ist ab sofort ohne Mindestbestellmenge ab Lager verfügbar. Würth Elektronik stellt Entwicklern auf Wunsch kostenlose Muster bereit.

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